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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子）› ESD/EOS和latchup(芯片级)› ESD/EOS讨论区
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ESD/EOS讨论区 今日: 4 |主题: 661|排名: 58 

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[求助] 在看韩雁的ESD书本的时候遇到了一个问题 新人帖 Wzx_imos 2023-10-26 5622 Wzx_imos 2023-11-29 10:49
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[求助] BJT和GGNMOS在ESD中有什么具体差异？ 陌上苏沫 2023-10-7 0463 陌上苏沫 2023-10-7 21:32
[求助] N_LVTSCR和普通的MLSCR相比，为什么加了一个MOSFET可以有效降低他的触发电压呀？ 陌上苏沫 2023-9-25 2482 waley 2023-9-29 12:05
[求助] TLP 测试双折返点是什么原因？ fengluan83 2023-9-23 0506 fengluan83 2023-9-23 17:04
[求助] ESD 仿真电路 zgjj 2023-9-8 0499 zgjj 2023-9-8 11:07
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[求助] GGNMOS有不均匀导通的特点，那请问为什么拉宽Drain可以使其均匀导通呀 attach_img  ...234 陌上苏沫 2023-9-7 372636 neonato 2024-2-18 10:19
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[求助] GGMOS 不吃细糠的山猪 2023-8-24 3576 fei_SH 2023-8-28 15:42
[求助] 浪涌和ESD有什么区别呀？为什么在设计电路的时候浪涌和ESD的性能一定要牺牲一个呀？ 陌上苏沫 2023-8-21 4760 陌上苏沫 2023-8-22 15:20
[求助] 打扰了，布只岛该怎么删帖 陌上苏沫 2023-8-16 0414 陌上苏沫 2023-8-16 15:15
[求助] ESD防护 - [阅读权限 255]attach_img 想象 2023-8-15 8205 想象 2023-8-16 16:33
[求助] Warning: junction current density(I/Area) exceeds 'imelt' 新人帖  ...2 heyApricity 2023-8-9 11864 dragonwell 2023-8-16 09:43
[求助] 影响芯片ESD能力的原因有哪些？ 霍比特美凌格 2023-8-7 6684 霍比特美凌格 2023-8-16 15:12
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