求助28nm工艺耦合电路EOS问题

fuailiu · 发表于 2023-7-25 16:09:41

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请问如下问题：时钟信号经过电容耦合到偏置电压上，改电压把耦合节点的信号最高电压抬高，mos管耐压为1V，如果节点电压上升至1.3V，对该core管的寿命影响大吗？

应该怎么判断哪个电压下core管寿命急剧下降。

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fei_SH · 发表于 2023-7-26 09:37:21

本帖最后由 fei_SH 于 2023-7-26 10:15 编辑

如果想看可靠性的寿命，去看看MOS的HCI SOA曲线，看看那个栅压下寿命最低。
如果想看MOS的烧毁电压，去看看MOS的TLP SOA曲线，看看那个栅压下MOS最容易烧坏。

mars0904 · 发表于 2023-7-26 10:57:46

本帖最后由 mars0904 于 2023-7-26 13:32 编辑

一般28nm工艺会有Aging model，仿真看看。

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