GGNMOS有不均匀导通的特点，那请问为什么拉宽Drain可以使其均匀导通呀

yylei

sab起到电阻作用，当这个finger导通时会有大电流，因为电阻的原因，抬高了电压，进而触发其它没有触发的finger，解决了不均匀导通的问题。

陌上苏沫

农民赵 发表于 2023-9-8 17:11
加SAB的作用是阻止电流流向D端的LDD区域，或者可以理解成避免向LDD区域聚集。

这样就可以避免LDD结构的 ...

懂了懂了，感谢大佬解惑

陌上苏沫

yylei 发表于 2023-9-8 21:30
sab起到电阻作用，当这个finger导通时会有大电流，因为电阻的原因，抬高了电压，进而触发其它没有触发的fin ...

感谢好心人，我终于可以把这些东西串起来了

不吃细糠的山猪

农民赵 发表于 2023-9-8 15:27
最近也在理解ESD的最基础原理知识，看了很多资料，说一说自己的理解。
1、拉宽drain端可以承担很大的热量， ...

大佬， 最近也想多了解ESD的基础知识，有什么推荐的书或者资料嘛？

bing_bing

https://bbs.eetop.cn/thread-373573-1-1.html

fei_SH

不吃细糠的山猪 发表于 2023-9-12 20:36
大佬， 最近也想多了解ESD的基础知识，有什么推荐的书或者资料嘛？

ESD设计的入门与提高 - ESD/EOS讨论区 - EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) -

zhangyp

各位大佬，我这边设计的一个版图正好出现了如主题讨论的问题，我是做的一个OUTPUT的PAD，这个PAD只有NMOS，没有PMOS接输出；这里的输出NMOS的GATE我都接在一起，我确定很良好的接在一起了，就是GATE一出来我就用一铝还是比较宽的一铝给连起来了，然后接内部电路的输出；而且因为这个是功率管输出，所以我只敢拉大D和G的间距，不敢在上面加SAB， 担心SAB电阻过大，影响输出效果；但是现在产品做出来了，只能有HBM大约不到250V的耐压，太差了，然后打坏的地方我们照了下，发现是功率管的中间管子的一部分给击穿短路了；这个短路还引起我的Source端的孔都烧糊了；我没有拉大S和G的间距，但是不清楚为什么会烧这个电阻小的地方，那个拉宽的D-G似乎没问题；现在的问题是如何让这个大MOS能同时打开呢，现在问题是我虽然gate用1铝很好的连再一起了，但是似乎还只是中间两个管子导通，旁边的管子似乎都在那边围观，不做救援，但是这个GATE是接内部的电路，我没法去修改他，或者难道我该故意躲绕点线，需要刻意这么做吗？我现在没办法了，MASK已经做好了，我想是不是先改一层sab层看看效果？但是现在还想不是D和G之间的问题，唉，我考虑的太多了，没有确定的办法了。

农民赵

zhangyp 发表于 2023-9-16 19:55
各位大佬，我这边设计的一个版图正好出现了如主题讨论的问题，我是做的一个OUTPUT的PAD，这个PAD只有NMOS， ...

这种OPEN DRAIN的设计，如果没有单独的ESD设计保护，理论上讲是要在D和G之间拉开间距，并且加上SAB的。你这个问题其实很明显，就是ESD过来的时候管子没有均匀开启引起的，所有的这种NMOS结构都是中间的管子会先开启（为什么自己去查一下）。中间的FINGER先开启，别的管子不开启导致中间的管子承受的电流过大失效。建议加上SAB去解决，还有就是看一下S/D的连线是不是均匀的。至于输出管电阻的大小问题可以让DE去仿真。

农民赵

zhangyp 发表于 2023-9-16 19:55
各位大佬，我这边设计的一个版图正好出现了如主题讨论的问题，我是做的一个OUTPUT的PAD，这个PAD只有NMOS， ...

ESD的问题和你的GATE连线的关系不大，GATE的连线只会影响你正常工作的时候的性能。

沐风彡

zhangyp 发表于 2023-9-16 19:55
各位大佬，我这边设计的一个版图正好出现了如主题讨论的问题，我是做的一个OUTPUT的PAD，这个PAD只有NMOS， ...

1. SAB一定要加！！！！你不加SAB单纯的拉宽D还不如不拉宽呢，这样导通的NMOS还能多几根
2. 为了面积考虑，D端距离G的距离是可以适当的缩小的（偷ESD rule）

3. S端没问题，不用改，烧毁就是因为NMOS不均匀导通造成的