GGNMOS有不均匀导通的特点，那请问为什么拉宽Drain可以使其均匀导通呀

拉里kiki

学习一下！

dires1118@126.c

受教了。

lethalkiss

zhangyp 发表于 2023-9-18 20:14
各位，确实这个端口是open drain的端口设计，我这种不加SAB的设计，我是想我的设计针对ESD来说是float gate ...

你是不是finger很多，整个buf的x轴非常长？  

Wzx_imos

1. 增大漏极接触孔到栅极的距离，然后中间铺上SAB层，是为了使器件的Vt2>Vt1，从而避免器件出现有些finger无法开启。但是任然是中间指最先开启。（不铺SAB，因为金属硅化物电阻很小，想达到Vt2>Vt1需要拉很长距离，显然是不划算的，既然采用了这种方法都是建议在漏和栅之间铺上SAB层）

2.GCNMOS使得器件导通均匀的原理是在MOS的栅极上耦合一定的电压，使得器件的Vt1减小，最终也达到Vt2>Vt1的目的。但是任然是中间指最先开启，只是为了避免出现有些finger无法开启的情况，开启的先后顺序没法改变。

综上，两者的本质原理差不多（都是为了让器件的Vt2>Vt1），使用的方法不同(一个是增大Vt2，一个是减小Vt1)。
第一种要拉宽漏极需要额外的面积，第二种需要加一个电阻也需要额外面积。