cadence仿真能定性评估HBM性能吗

a5541330

Fengxiy_UniIC 发表于 2023-6-16 18:26
看来你在一个毫无基础的公司。

是的，公司在esd方面没有积累，现在开始探索。

a5541330

JJJXXXYYY 发表于 2023-6-16 22:19
我觉得你电路模型应该把e s d电路搭出来，搭完再给电路灌激励

但是如果激励有kV级别，cadence仿真结果还有意义吗？模型应该不支持这么高电压。

fei_SH

a5541330 发表于 2023-6-27 16:01
感谢您的回复，我们现在能定位到是哪个位置的mos出了问题，想针对这个pin进行优化提升esd效果。请问有什 ...

已经定位失效位置了，再去仿真HBM能力就没有必要了。更重要的是去分析为什么这个地方失效，ESD是怎么进来的，再去优化加强这个地方的ESD。
两个版本这个地方的电路一样吗？不一样的话是怎么改的？一样的话是不是ESD器件特性变了？ 如果ESD也没变内部也没变，那就是这个地方本身就有可能比较临界，工艺偏差导致结果不一样。


可以的话最好电路和ESD路径分享出来，大家可以帮你看看学习学习

846385824

HBM的模型应该好搭建，CDM的不行

尹懿汐

fei_SH 发表于 2023-6-16 08:27
你这只是加了一个HBM的激励，仿的是电路在HBM激励下的响应。没有代入ESD器件的模型，应该是仿不出来HBM能力 ...

你好，我也遇到了ESD相关的问题。我是用PDK中的ESD器件搭了个GGNMOS电路，给HBM瞬态激励。想从不同激励下的器件钳位点构建TLP曲线，但是构建出来的曲线都只是PN结的曲线,没有snapback。看了很多贴都是说没有model，但是PDK里面的ESD器件都有对应的veriloga model，有相关的雪崩电流和寄生三极管开启的模型。这个仿真的时候没办法被调用到吗？还是说这个模型还是没办法仿snapback.

五香味牛肉干

尹懿汐 发表于 2025-5-28 11:11
你好，我也遇到了ESD相关的问题。我是用PDK中的ESD器件搭了个GGNMOS电路，给HBM瞬态激励。想从不同激励下 ...

这个单点跑能行吗？直接跑tran行不行啊

Amuse

尹懿汐 发表于 2025-5-28 11:11
你好，我也遇到了ESD相关的问题。我是用PDK中的ESD器件搭了个GGNMOS电路，给HBM瞬态激励。想从不同激励下 ...

你好，这个是直接跑Trans吗，sp2t需要怎么设置啊

zhangyang370281

a5541330 发表于 2023-6-27 16:01
感谢您的回复，我们现在能定位到是哪个位置的mos出了问题，想针对这个pin进行优化提升esd效果。请问有什 ...

不需要仿真这东西，失效Mos的失效ESD等级，如果是ESD失效简单看一下失效等级和需求的失效等级差异多大，无非就是增加ESD器件尺寸，降低保护通路阻抗，增加保护通路金属孔数量，如果是功能Mos失效且ESD没有失效，重点关注版图布局有没有问题，比如先过电路后到ESD，比如失效Mos管附件寄生的BJT等，排除这些版图导致的问题