N_LVTSCR和普通的MLSCR相比，为什么加了一个MOSFET可以有效降低他的触发电压呀？

陌上苏沫 · 发表于 2023-9-25 10:48:32

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本帖最后由陌上苏沫于 2023-9-25 17:45 编辑

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请问这里面的MOSFET起到啥作用呀？

在我的理解里，ESD发生时，MOSFET的寄生三极管是N+-P阱-N+，而MLSCR的对应的寄生三极管不也是N+-P阱-N+吗？

陌上苏沫 · 发表于 2023-9-25 21:14:22

我目前个人的理解如下：
虽然两者的寄生三极管都是N+-P阱-N+，但是他们的基区是不一样的，MLSCR的基区是Psub部分，而LVTSCR的基区是MOS管沟道区域，这就导致了两者的PN结大小不同，击穿难度也不同，且两者的放大倍数也截然不同，因此才会出现触发电压不同
想请教一下这种理解是否合理呀？

waley · 发表于 2023-9-29 12:05:55

學習學習~

[求助] N_LVTSCR和普通的MLSCR相比，为什么加了一个MOSFET可以有效降低他的触发电压呀？