ESD正压比负压效果差很多的原因是什么？

霍比特美凌格

如题所说ESD器件中无论是I/O to VCC   to VDD  to I/O打正压的效果都比打负压的效果差很多的原因是啥？

fengluan83

我想GGNMOS结构基本都这样吧。负压就是二极管特性。

fei_SH

这个和使用的ESD器件和ESD保护电路整体方案强相关。光抛出一个问题没有给条件无法分析。

andyfan

一般情况，我只是说一般情况哦，看你的描述，ESD 电流走的途径，一个应该只是走过3个DIODE，而另外一个2个DIODE加一个POWER CLAMP；这个不管POWER CLAMP结构如何，大多数情况是不如DIODE放电快的。


或者简单说，一个是VDD TO VSS放电，要走POWER CLAMP；另外一个走的是VSS TO VDD，一般就是一个DIODE放电。