请问GGNMOS的维持电压是由寄生NPN的放大能力决定的吗

陌上苏沫

在GGNMOS的TLP曲线里，GGNMOS的维持电压是由寄生NPN的放大能力决定的吗？

如果是，那是不是改变衬底和源漏极的掺杂浓度和厚度就能改变寄生NPN的放大能力，从而改变GGNMOS的维持电压了呀
如果不是，那请问GGNMOS的维持电压是由啥因素决定的呀？

李幕白

要看GGNMOS的维持电压由什么因素决定需要考虑多个方面的变量，例如，从器件的版图布局形状来看的话：当GGNMOS采用典型的叉指型（S放边缘，D居中交替放置的形状）漏极的接触孔到POLY的边缘的间距增加时，维持电压有略微增加的趋势。GGNMOS的沟道长度也跟维持电压有关，沟道长度即寄生NPN的基区宽度，沟长变小维持电压变小。采用华夫饼型，漏极的接触孔到POLY的边缘的间距增加时，维持电压略微提升，沟长对维持电压影响不大。此外器件的类型，阈值电压不同等方面也都影响着维持电压的值。

fei_SH

GGNMOS的维持电压受到工艺，版图，架构等多重因素的影响。不能简单地归结到寄生NPN的放大能力决定。
当然寄生NPN的放大能力也是会影响Vh的。

陌上苏沫

李幕白 发表于 2023-9-6 10:12
要看GGNMOS的维持电压由什么因素决定需要考虑多个方面的变量，例如，从器件的版图布局形状来看的话：当GGNM ...

沟道长度对于维持电压有影响我目前理解了，但是阈值电压对于维持电压是怎么样影响的呀？这一点不太理解，请问可以解答一下吗

李幕白

陌上苏沫 发表于 2023-9-7 11:11
沟道长度对于维持电压有影响我目前理解了，但是阈值电压对于维持电压是怎么样影响的呀？这一点不太理解， ...

sorry，上面表述不清晰，在我看的资料中，根据ESD的设计窗口，ESD的上限由栅氧击穿电压及源漏击穿电压的最小值加上裕度的电压值称之为阈值电压。阈值电压高，那么它的触发电压及维持电压也可以高一点。阈值电压低，它的触发电压及维持电压的范围就窄多了。

angel

我也在研究这个，从TLP 数据来看，沟道长度与Vh 成正比。还有别的方法改变 Vh 不？

陌上苏沫

angel 发表于 2023-9-7 15:10
我也在研究这个，从TLP 数据来看，沟道长度与Vh 成正比。还有别的方法改变 Vh 不？
...

顶一下
请问工艺方面的话有啥方式可以改变Vh呀？

陌上苏沫

angel 发表于 2023-9-7 15:10
我也在研究这个，从TLP 数据来看，沟道长度与Vh 成正比。还有别的方法改变 Vh 不？
...

蹲蹲