GGNMOS的gate和source之间串电阻目的是什么？

hijackerhaha · 发表于 2023-10-30 11:34:24

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我看FAB提供的文档上，GGNMOS的gate和source之间串了一个电路，这个目的是什么？

一般认为这是为了加快寄生NPN开启，具体过程如下：
这个串联电阻+Cgd，类似于GCNMOS结构，当一个ESD信号打到drain端，就可以通过Cgd耦合电压到gate，然后电荷流过这个串联电阻，在gate/source之间形成正向压降，从而开启沟道。在沟道开启的一瞬间，就会产生HCI电流，电子流向drain，空穴流向body，即给寄生NPN基区注入电流，从而快速开启寄生NPN来泄放ESD电流。

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但这里有一个问题，不同电压偏置下的HCI效应效果不一样，而对应的电压偏置条件又跟串联电阻和ESD的能量大小相关，这个感觉比较难以选择。
请问各位专家，有没有做过这方面的实验经验？怎么取舍匹配？谢谢！

吃纸 · 发表于 2023-11-1 11:16:08

等大佬回答

zhangyp · 发表于 2023-11-2 10:05:14

我也很疑惑，你怎么就确定不会表面的MOS不开启，而是背面的NPN能开启呢？

18800261604 · 发表于 2023-12-11 10:44:10

mark 一下看看解答

cd1992 · 发表于 2023-12-14 10:49:41

zhangyp 发表于 2023-11-2 10:05
我也很疑惑，你怎么就确定不会表面的MOS不开启，而是背面的NPN能开启呢？

我看相关的GCNMOS资料，MOS管会出现弱导通的情况，当然如果栅极电压大于阈值电压，管子是是承受不了这么大的沟道电流。我理解的是，当有较小电流会第一时间往沟道，同时由于栅极被耦合，沟道HCI会有电流流到下方基区，栅极耦合也会存在一定的RC delay，基区有电流后，会导致BJT更小trigger电压。

Anihacyo · 发表于 2023-12-14 22:18:31

cd1992 发表于 2023-12-14 10:49
我看相关的GCNMOS资料，MOS管会出现弱导通的情况，当然如果栅极电压大于阈值电压，管子是是承受不了这么 ...

啊？我一直以为GCNMOS是沟道泄放

那RCclamp也是利用寄生NPN吗？

cd1992 · 发表于 2023-12-18 16:33:23

Anihacyo 发表于 2023-12-14 22:18
啊？我一直以为GCNMOS是沟道泄放

那RCclamp也是利用寄生NPN吗？

从查到资料以及自己理解，GCNMOS一般确实是以沟道泄放为主，前提是面积足够大，可以不用等NPN开启；而对于有的GCNMOS面积不够大，则需要满足相关设计规范，沟道弱导通情况下，需触发NPN进行电流泄放

Anihacyo · 发表于 2023-12-18 20:07:06

cd1992 发表于 2023-12-18 16:33
从查到资料以及自己理解，GCNMOS一般确实是以沟道泄放为主，前提是面积足够大，可以不用等NPN开启；而对 ...

意思是沟道放电的同时，面积不够，NP之间积累电荷，这个地方的反偏依然会打开是吧，只是NP雪崩的晚一点，Psub的正偏会随之更晚是吧？

个人理解，望指正，谢谢。

LJH111 · 发表于 2023-12-20 21:58:57

电阻的作用我理解的是阻止电荷向Gate端走，使其向器件体内走，开启寄生BJT。

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