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[求助] 影响芯片ESD能力的原因有哪些?

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发表于 2023-8-7 13:51:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我们做的一颗芯片,同样的ESD结构,同样的尺寸,同样的接法,两个相邻脚位一个能过6000一个4000都过不了,就想问问影响ESD能力的原因还有那些?
发表于 2023-8-7 14:46:48 | 显示全部楼层
我觉得你可能都不用找具体原因,先找不同。就盯着看看这两个pad有啥不同的地方。
发表于 2023-8-7 14:47:33 | 显示全部楼层
看看内部电路结构是否不同导致的
发表于 2023-8-7 15:02:24 | 显示全部楼层
管脚周围的版图,内部电路,相对VDD和GND的位置,肯定是不一样的。
4KV失效大概率是内部失效或者寄生通道失效。
6KV的失效可能是ESD管能力到了。
失效分析定位一下两个不同的样品就能看出来了。
 楼主| 发表于 2023-8-15 10:56:04 | 显示全部楼层


fei_SH 发表于 2023-8-7 15:02
管脚周围的版图,内部电路,相对VDD和GND的位置,肯定是不一样的。
4KV失效大概率是内部失效或者寄生通道失 ...


请问如何做失效分析定位?
发表于 2023-8-15 17:10:05 | 显示全部楼层
6KV和4KV失效的芯片先分析一下失效的IV是否一样,是否可以做EMMI,可以的话都去做一下EMMI定位就能看到亮点位置是否一样。可以能的话还可以去层,看看亮点下是什么类型的损伤。
 楼主| 发表于 2023-8-16 15:12:16 | 显示全部楼层


fei_SH 发表于 2023-8-15 17:10
6KV和4KV失效的芯片先分析一下失效的IV是否一样,是否可以做EMMI,可以的话都去做一下EMMI定位就能看到亮点 ...


IV曲线正常。就是芯片恢复了,没法做thermal emmi
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