关于3mm*3mm芯片CDM性能的问题

copper_hou

Anihacyo 发表于 2023-7-14 10:14
您好，想请教---关于“封装尺寸越大，CDM pass的电压就越低”，是因为相同的电压下，对大尺寸封装产品的c ...

是的。相同的FI CDM条件，device的pass voltage：Die > packaged chip > chip on board.
有必要校正一个普遍的行业认知误区，FI-CDM条件下，待测device上的静电荷是Field inducing决定的，并不是一般意义上实际的电荷。Field inducing一旦去除，device的静电带电状态就不存在了。从这个技术点出发，在分析不同尺寸在FI-CDM的实测数据，就很容易判断预期的结果是怎样的。

Anihacyo

copper_hou 发表于 2023-7-20 08:28
是的。相同的FI CDM条件，device的pass voltage：Die > packaged chip > chip on board.
有必要校正一个 ...

想请教，关于“相同的FI CDM条件，device的pass voltage：Die > packaged chip > chip on board.” 是基于理论分析吗？也许是我经验不足，我印象里 裸die是不太能测CDM的

yian0321

Anihacyo 发表于 2023-7-18 09:44
所以想问上面那位前辈说的“Die封装前后的CDM pass能力差异是怎么得出结论的”或许他有实测案例
...

楼上前辈说的应该是同一批次chip 封装尺寸不同，CDM pass level 有差异。
以目前主流的 Thermo fisher的测试机来说，我之前做过验证，相同chip 封装成LQFP100和LQFP176 设备可以测量等效电容值，LQFO176 明显比100的大

Anihacyo

yian0321 发表于 2023-9-22 18:19
楼上前辈说的应该是同一批次chip 封装尺寸不同，CDM pass level 有差异。
以目前主流的 Thermo fisher的 ...

等效电容指的是单chip还是说和机台一起耦合出来的总的cap？