折叠式共源共栅运放折叠点处的阻抗

seamasc · 发表于 2010-5-14 15:28:31

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Razavi书p249 在论述折叠式共源共栅运放折叠点处阻抗时，认为从折叠点向上看到的阻抗大约为共源共栅管的跨导的倒数。

我觉得这是不对的。因为该共源共栅管的漏端阻抗非常之大，我自己计算的结果显示，从折叠点向上看到的阻抗大约为MOS管的ro。

不知大家是如何分析的，望赐教。谢谢！

yyrrsilicon · 发表于 2010-5-14 16:21:44

本帖最后由 yyrrsilicon 于 2010-5-14 16:23 编辑

Razavi书p249 在论述折叠式共源共栅运放折叠点处阻抗时，认为从折叠点向上看到的阻抗大约为共源共栅管的跨导的倒数。

我觉得这是不对的。因为该共源共栅管的漏端阻抗非常之大，我自己计算的结果显示，从折叠点向上 ...
seamasc 发表于 2010-5-14 15:28

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你说得也对，也不对。相信你是认真思考过的，值得鼓励。

严格的说：频率很低时，这点向上看到的阻抗确实很大，也就是约等于ro。对于PMOS输入的folded cascoded，更准确的是1/gm_cascode_n+(ro_mirror_p*ro_cascode_p*gm_cascode_p)/(gm_cascode_n*ro_cascode_n) ~=ro_mirror_p,也就是你说得ro。

但是，实际设计中，这点一般不会成为主极点。考虑这点的阻抗是要考虑这点产生的极点会不会成为一个非主极点，从而影响运放的交流特性，这时，就要在感兴趣的频率（也就是较高的频率）考虑这点的阻抗。而通常，输出点会连接负载电容，在我们感兴趣的频率处，这个负载电容的阻抗已经远小于上面的cascode电流镜的阻抗，cascode电流镜的阻抗贡献可以忽略，而电容的阻抗贡献会被除以(gm_cascode_n*ro_cascode_n)，所以，有效地阻抗还是1/gm_cascode_n。

我不记得是那本教科书上论述过这个问题，也许就是razavi的书。

希望我没有理解错你的意思。

seamasc · 发表于 2010-5-14 19:51:35

首先十分感谢yyrrsilicon的回复。

从折叠点向上看到的阻抗是随频率变化而变化的。低频时为ro，高频时为1/gm。如此，razavi书p249 直接使用1/gm表述运放增益公式，是有瑕疵的。

gghhsilicon · 发表于 2010-5-14 20:13:26

首先十分感谢yyrrsilicon的回复。

从折叠点向上看到的阻抗是随频率变化而变化的。低频时为ro，高频时为1/gm。如此，razavi书p249 直接使用1/gm表述运放增益公式，是有瑕疵的。
seamasc 发表于 2010-5-14 19:51

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你说的是哪一段啊？能不能贴上来呀？

这1/gm和增益有关系吗？

ddrr · 发表于 2010-5-14 21:57:52

电路的高阻节点不在折叠点，razavi说着玩的。

小草 · 发表于 2010-5-14 22:27:39

在感兴趣的频率处考虑节点的阻抗,有道理!

seamasc · 发表于 2010-5-14 23:08:38

我的意思是，razavi书中认为从折叠点向上看到的阻抗约为1/gm，而向下看到的阻抗约为ro，进而认为差分输入对产生的电流进入折叠点后，基本上全部向上流，据此推导出增益表达式。这是有瑕疵的。在低频时，从折叠点向上看到的阻抗约为ro，因此不会全部向上流。

ddrr · 发表于 2010-5-15 00:29:13

本帖最后由 ddrr 于 2010-5-15 00:32 编辑

razavi怎么就不喜欢画个等效电路算算。
说来说去，向上看不就是1/gm么，什么时候变成ro了。什么低频高频，没看懂。

回楼上的，小信号的电流怎么往上流啊，上面是高阻节点啊，极端情况高阻节点再向上当做电流源负载，流不动的；最后哪个管子的电流哪个管子自己吃掉。

yidao · 发表于 2010-5-15 03:00:29

技术帖，必须顶

daiwei4287 · 发表于 2010-5-16 12:20:08

mos管的小信号模型没有搞清楚，拉扎维说的是简化后的结果。
计算太详细也没有必要

[求助] 折叠式共源共栅运放折叠点处的阻抗

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