折叠式共源共栅运放折叠点处的阻抗

myhz

在低频时，从折叠点向上看到的阻抗约为ro，因此不会全部向上流。

lgy747

我的激励就是加在折叠点，其反馈作用不影响我加的deltV。也可以说这个deltV是结果，反馈是个过程。其共栅管d点对这个deltV做出响应而已，你应该有些混淆分析的方向了。
有宋 发表于 2010-5-26 21:49

                               
登录/注册后可看大图

rin=deltV/deltI，反馈作用不影响你加的deltV，但影响你加的deltI，设d点电压deltV1，则反馈电流=（deltV1-deltV)/r0，它的方向和激励电流deltI相反，抵消了部分激励电流，即看进去的输入电阻rin变大了。所以，只有假设r0=无穷大或者r1=0时，才有rin=1/gm

zhongbo1127

这个问题基本上可以停止讨论了，分析增益 分析 输入电阻 其实 拉说的一点问题也没有。
如果考虑电容的话，那就是频率响应的内容了。
两码事

lgy747

我不得不在这里花点时间，看图说话，翻开Razavi中文书p249 ，对图9.13进行小信号严谨分析推导:
从M7 d极向上看的电阻Rd=（gm7+gmb7）ro7*ro9  [式1]
从M3 s极向上看的电阻rin3=（Rd+ro3)/(1+(gm3+gmb3)ro3)  [式2] （推导我就不写了）
式1代入式2，得rin3=((gm7+gmb7)ro7*ro9+ro3)/(1+(gm3+gmb3)ro3) 这个就是精确式，因为(gm3+gmb3)ro3远大于1，简化为rin3=((gm7+gmb7)ro7*ro9+ro3)/(gm3+gmb3)ro3=(gm7+gmb7)ro7*ro9/(gm3+gmb3)ro3+1/(gm3+gmb3) [式3]
如果再简化，忽略gmb，式3就演变为2楼yyrrsilicon 的公式，我们看看式3，设ro=ro7=ro9=ro3,则rin3~=(gm7+gmb7)ro/(gm3+gmb3)+1/(gm3+gmb3)~=(gm7+gmb7)ro/(gm3+gmb3)，和ro在同一数量级！式3的第一项起了作用，如果Rd=0，即m3 d极接vdd，式3变为rin3=1/(gm3+gmb3)，这个大家再熟悉不过了。

x点电阻rx=rin3//ro5//ro1 [式4] 因为ro5的分流，m1电流不能全部向上折返，等效gm_eff=gm1(1/rin3)/(1/rin3+1/ro5+1/ro1)

Razavi的p249 的式9.12是错误的，把式9.12中的gm1改写成我的gm_eff才正确。Razavi究竟在什么地方发生了疏忽？他想当然的认为m3的s极电阻很少！其实Razavi并不是不懂，他在之前已有正确阐述，在这里粗心大意了。

我很佩服楼主的认真和求真，你知道吗，你是正确的，作为发问者，你说的几个帖子全部都是正确的，而不是部分正确！反而回答你问题的除了2楼等少数人外，没有对的，这种情况在论坛中发生就像拉杂维犯错误一样少见。Razavi错了，你小心翼翼，权威大师嘛，而我就不和他客气。

zhongbo1127

我不得不在这里花点时间，看图说话，翻开Razavi中文书p249 ，对图9.13进行小信号严谨分析推导:
从M7 d极向上看的电阻Rd=（gm7+gmb7）ro7*ro9  [式1]
从M3 s极向上看的电阻rin3=（Rd+ro3)/(1+(gm3+gmb3)ro3)  [式2] ...
lgy747 发表于 2010-5-27 18:09

                               
登录/注册后可看大图

楼上的 你的分析部分正确。呵呵 你仔细看看你得到

的gm_eff.
当然 此时要承认1/(gm3+gmb3>>(1/r05+1/r01)。也就

是你的gm_eff表达式中的除了gm1的那部分约等于1啊

。这种情况下，你的gm_eff不就是约等于gm1了么？？

这点，拉说的很清楚啊。
这问题其实非常简单，并不需要大动干戈。拉只是做

了一点定性分析就省了一些推导。与你说说的相反，

你的推导证明了拉的正确。

6655silicon

我不得不在这里花点时间，看图说话，翻开Razavi中文书p249 ，对图9.13进行小信号严谨分析推导:
从M7 d极向上看的电阻Rd=（gm7+gmb7）ro7*ro9  [式1]
从M3 s极向上看的电阻rin3=（Rd+ro3)/(1+(gm3+gmb3)ro3)  [式2] ...
lgy747 发表于 2010-5-27 18:09

                               
登录/注册后可看大图

支持你的推导，虽然我并不在乎拉老师是对还是错。
我只知道你的推导是正确的。

sxzong_hit

时刻关注此贴～～

小桂子

受益了不少，谢谢

wulin_wing

楼主的理解个人认为是对的，如果从折叠点处看，是射随电路，阻抗是共栅MOS跨导的倒数。但是这里的射随电路的漏端接的不是电源，而是一个交流阻抗很大的电流镜，所以折叠点的阻抗要远大于mos管的跨导的倒数。

9999silicon

44# lgy747

节点阻抗怎么看，应该大家包括我都没有搞太清楚节点阻抗的意义

以一个简单源跟随器为例，其输出阻抗是多少？如果你在输出点加一个deltV，那由于电流镜管的限流作用，流到电流镜的电流几乎没有改变 ...
有宋 发表于 2010-5-28 12:53

                               
登录/注册后可看大图

这个，不敢苟同。。。