芯片级ESD防护设计答疑

nwpupind · 发表于 2021-9-7 09:54:09

mark 。。。。楼主牛

hzx85337856 · 发表于 2021-9-19 00:13:55

jiangbing1975 发表于 2021-9-4 21:03
完全可以。

能简单说一下这两种之间的差别吗？原理一样的话，开启电压应该是类似的才对，为什么都用GGNMOS呢？是因为寄生小吗？发现在SMIC18 BCD里边，对于高压，PDK建议12V以上的器件只提供了PNP这种ESD，不明白为什么没有用LDMOS~

谢谢！！

jiangbing1975 · 发表于 2021-10-28 10:21:41

hzx85337856 发表于 2021-9-19 00:13
能简单说一下这两种之间的差别吗？原理一样的话，开启电压应该是类似的才对，为什么都用GGNMOS呢？是因为 ...

不好意思，BCD工艺我没有做过，不敢妄加评论。

玖君00 · 发表于 2021-11-26 10:10:38

jiangbing1975 发表于 2021-5-6 17:04
90nm以下的MOS寄生BJT开启电压低于器件栅氧击穿电压。

按这样说，ggnmos就可以防护gate呀。90nm以下也是有用ggnmos来防护gate的。

jiangbing1975 · 发表于 2021-12-2 09:07:45

玖君00 发表于 2021-11-26 10:10
按这样说，ggnmos就可以防护gate呀。90nm以下也是有用ggnmos来防护gate的。

基本没有太大设计余量了。

tanguaner · 发表于 2021-12-14 09:06:30

GanKuaiMaiChe · 发表于 2022-1-4 10:04:47

ttanalog · 发表于 2022-1-24 18:02:38

Thanks

青线 · 发表于 2022-2-23 18:14:04

学习一下！

jjjbeibei · 发表于 2022-2-24 22:17:10

ESD小白想问一下，对于高频LNA的ESD防护要怎么做才好

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