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楼主: jiangbing1975

[讨论] 芯片级ESD防护设计答疑

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发表于 2021-9-7 09:54:09 | 显示全部楼层
mark 。。。。楼主牛
发表于 2021-9-19 00:13:55 | 显示全部楼层


能简单说一下这两种之间的差别吗?原理一样的话,开启电压应该是类似的才对,为什么都用GGNMOS呢?是因为寄生小吗?发现在SMIC18 BCD里边,对于高压,PDK建议12V以上的器件只提供了PNP这种ESD,不明白为什么没有用LDMOS~

谢谢!!
 楼主| 发表于 2021-10-28 10:21:41 | 显示全部楼层


hzx85337856 发表于 2021-9-19 00:13
能简单说一下这两种之间的差别吗?原理一样的话,开启电压应该是类似的才对,为什么都用GGNMOS呢?是因为 ...


不好意思,BCD工艺我没有做过,不敢妄加评论。
发表于 2021-11-26 10:10:38 | 显示全部楼层


jiangbing1975 发表于 2021-5-6 17:04
90nm以下的MOS寄生BJT开启电压低于器件栅氧击穿电压。


按这样说,ggnmos就可以防护gate呀。90nm以下也是有用ggnmos来防护gate的。
 楼主| 发表于 2021-12-2 09:07:45 | 显示全部楼层


玖君00 发表于 2021-11-26 10:10
按这样说,ggnmos就可以防护gate呀。90nm以下也是有用ggnmos来防护gate的。


基本没有太大设计余量了。
发表于 2021-12-14 09:06:30 | 显示全部楼层
收藏
发表于 2022-1-4 10:04:47 | 显示全部楼层
https://bbs.eetop.cn/forum.php?m ... 26&pid=10503972达林顿效应可以尝试用DNW来解决
发表于 2022-1-24 18:02:38 | 显示全部楼层
Thanks
发表于 2022-2-23 18:14:04 | 显示全部楼层
学习一下!
发表于 2022-2-24 22:17:10 来自手机 | 显示全部楼层
ESD小白想问一下,对于高频LNA的ESD防护要怎么做才好
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