芯片级ESD防护设计答疑

jiangbing1975 · 发表于 2022-10-15 14:38:13

xidianmhp 发表于 2022-7-9 14:16
在CMOS BCD工艺中电源PAD用了这种ESD保护，发现测试时不到700V HBM就挂了，电源和地之间ESD环的导通电阻也 ...

高压工艺我没有做过，不过PNP的性能确实不如NPN。
芯片里面多放几个应该会好一点吧。

jiangbing1975 · 发表于 2022-10-15 14:41:20

fanjialin 发表于 2022-7-12 18:11
楼主你好请问powerclamp电路应该如何仿真呢或者说如何取检测电路效果呢
...

如果是利用沟通导通泄放ESD能量的power clamp，是可以仿真的。
如果是利用寄生BJT开启泄放ESD能量的，就没办法仿真，检测电路效果只能根据经验来了。

fhy420462303 · 发表于 2022-10-21 16:47:53

有没有讲解ESD-HBM测试过程的文档呀？？？想知道工具到底是怎么做的???
假设测试所有的IO对DVDD（还有一个AVDD），先把每个IO的i-V曲线测试出来，然后所有的IO打正负电压，然后在测试每个IO的i-V曲线出来，然后判断，那么负电压的意思是IO接地，然后VDD 打入电压？？？IO的i-V曲线怎么测试？？？？IO加电源测试电流，这个时候的测试电源的地怎么接，接芯片的DVDD吗，还是接芯片的DVSS，还是AVSS？？？
如果是DVDD和AVDD测试？？又是怎么测试呢？？？i-V曲线怎么量测呢？？？

Scott2885212 · 发表于 2022-10-25 22:12:39

怎么降低IO接口的ESD device 的寄生电容？

Scott2885212 · 发表于 2022-10-25 22:20:34

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cai2010 · 发表于 2022-12-2 10:31:31

本人做GaAs 单芯片放大器，通常用反向二极管串实现ESD电路。请问
1.芯片工作电压和二极管数量之间是什么关系？
2.反向二极管串的ESD电路结构中，正向二极管数量与反向二极管数量是什么关系？
3.对于反向二极管串的ESD电路，确定二极管数量是否有经验公式？

mrjarod · 发表于 2022-12-3 21:49:30

请问楼主，CDM的峰值电流是否和CDM的电压成线性关系，比如500V CDM的Ipeak=10A, 则250V CDM的Ipeak=5A?

aqishisi · 发表于 2023-1-9 16:12:39

请教楼主大牛：
芯片 CDM ESD测试pass 2KV，但是HBM测试，同一批样品中，有pass 4KV的，也有fail在500V的。
这种一致性问题可能是什么导致的？FAB的工艺？封装的问题？

ljk0596 · 发表于 2023-1-9 20:24:44

jiangbing1975 发表于 2021-5-6 17:04
90nm以下的MOS寄生BJT开启电压低于器件栅氧击穿电压。

请问这里说的MOS寄生BJT低于器件的栅氧击穿电压分别指的都是厚氧MOS吗？

summeryu · 发表于 2023-1-13 13:16:36

mark..mark..

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