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楼主: jiangbing1975

[讨论] 芯片级ESD防护设计答疑

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 楼主| 发表于 2022-10-15 14:38:13 | 显示全部楼层


xidianmhp 发表于 2022-7-9 14:16
在CMOS BCD工艺中电源PAD用了这种ESD保护,发现测试时不到700V HBM就挂了,电源和地之间ESD环的导通电阻也 ...


高压工艺我没有做过,不过PNP的性能确实不如NPN。
芯片里面多放几个应该会好一点吧。
 楼主| 发表于 2022-10-15 14:41:20 | 显示全部楼层


fanjialin 发表于 2022-7-12 18:11
楼主 你好 请问powerclamp电路应该如何仿真呢 或者说 如何取检测 电路效果呢
...


如果是利用沟通导通泄放ESD能量的power clamp,是可以仿真的。
如果是利用寄生BJT开启泄放ESD能量的,就没办法仿真,检测电路效果只能根据经验来了。
发表于 2022-10-21 16:47:53 | 显示全部楼层
有没有讲解ESD-HBM测试过程的文档呀???想知道工具到底是怎么做的???
假设测试所有的IO对DVDD(还有一个AVDD),先把每个IO的i-V曲线测试出来,然后所有的IO打正负电压,然后在测试每个IO的i-V曲线出来,然后判断,那么负电压的意思是IO接地,然后VDD 打入电压???IO的i-V曲线怎么测试????IO加电源测试电流,这个时候的测试电源的地怎么接,接芯片的DVDD吗,还是接芯片的DVSS,还是AVSS???
如果是DVDD和AVDD测试??又是怎么测试呢???i-V曲线怎么量测呢???
发表于 2022-10-25 22:12:39 | 显示全部楼层
怎么降低IO接口的ESD device 的寄生电容?
发表于 2022-10-25 22:20:34 | 显示全部楼层
HeFei大型半导体公司 招聘ESD 人才,待遇优厚,有意请联系V信:531254109
发表于 2022-12-2 10:31:31 | 显示全部楼层
本人做GaAs 单芯片放大器,通常用反向二极管串实现ESD电路。请问
1.芯片工作电压和二极管数量之间是什么关系?
2.反向二极管串的ESD电路结构中,正向二极管数量与反向二极管数量是什么关系?
3.对于反向二极管串的ESD电路,确定二极管数量是否有经验公式?
发表于 2022-12-3 21:49:30 | 显示全部楼层
请问楼主,CDM的峰值电流是否和CDM的电压成线性关系,比如500V CDM的Ipeak=10A, 则250V CDM的Ipeak=5A?
发表于 2023-1-9 16:12:39 | 显示全部楼层
请教楼主大牛:
芯片 CDM ESD测试pass 2KV,但是HBM测试,同一批样品中,有pass 4KV的,也有fail在500V的。
这种一致性问题可能是什么导致的?FAB的工艺?封装的问题?
发表于 2023-1-9 20:24:44 | 显示全部楼层


jiangbing1975 发表于 2021-5-6 17:04
90nm以下的MOS寄生BJT开启电压低于器件栅氧击穿电压。


请问这里说的MOS寄生BJT低于器件的栅氧击穿电压分别指的都是厚氧MOS吗?
发表于 2023-1-13 13:16:36 | 显示全部楼层
mark..mark..
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