芯片级ESD防护设计答疑

cfqlyx · 发表于 2023-3-16 09:08:17

mars0904 发表于 2023-3-16 09:04
做成类似防倒灌的结构就可以

还是不太懂，能说细点嘛？

zay19981227 · 发表于 2023-3-28 10:02:49

楼主您好，ESD仿真建模工具都用的哪个比价好，有没有仿真建模的资料可以分享一下吗，谢谢！

swallow8666 · 发表于 2023-3-29 17:13:49

楼主能帮忙看看HBM I-V曲线打成这样是什么原因吗？谢谢~

打+1KV是ok的，+2KV曲线偏了，但是继续往上打+3KV又保持这种偏移不会再改变了。

jiangbing1975 · 发表于 2023-4-3 10:37:26

mars0904 发表于 2023-3-16 09:04
做成类似防倒灌的结构就可以

输入pin如果会输入负电压，那么输入pin到“地”的ESD单个二极管（或者MOS寄生的二极管）就不能要了，否则输入的负电压会被嵌位住，如果工艺允许多个二极管串联，那么这个pin到“地”之间可以通过多个二极管串联来实现ESD保护。或者这个pin到“地”索性就不要ESD保护了，通过增加这个pin到电源的ESD PMOS尺寸来实现ESD的保护，也是可以的。

jiangbing1975 · 发表于 2023-4-3 10:38:48

zay19981227 发表于 2023-3-28 10:02
楼主您好，ESD仿真建模工具都用的哪个比价好，有没有仿真建模的资料可以分享一下吗，谢谢！ ...

没有用过这方面的工具，不好意思。我全凭经验做的。

jiangbing1975 · 发表于 2023-4-3 10:40:19

swallow8666 发表于 2023-3-29 17:13
楼主能帮忙看看HBM I-V曲线打成这样是什么原因吗？谢谢~

打+1KV是ok的，+2KV曲线偏了，但是继续往上打+3KV ...

+2KV已经造成了器件的损伤，再继续打已经没有意义了。

后续需要做失效分析，看看是哪个器件损伤了，然后再分析是什么原因。

xiaotudou · 发表于 2023-7-31 11:03:55

感谢分享

鲶鱼 · 发表于 2023-9-27 15:52:51

jiangbing1975 发表于 2017-11-21 15:35
回复 7# crazyboy

一般ESD器件都比较大，finger数比较多，例如m=12。如果只需要几个mA的驱动能力，那么可 ...

请问对于动态浮栅结构，驱动管和动态浮栅结构管的个数分配对电路ESD能力有影响吗？比如m=12，一种情况是2个驱动管10个管子做动态浮栅结构；另一种情况是10个驱动管2个管子做动态浮栅结构；这两种情况的ESD能力一样吗？还有为什么一般m都是偶数呢？谢谢。

jiangbing1975 · 发表于 2023-12-5 13:46:24

鲶鱼发表于 2023-9-27 15:52
请问对于动态浮栅结构，驱动管和动态浮栅结构管的个数分配对电路ESD能力有影响吗？比如m=12，一种情况是2 ...

动态浮栅的目的就是为了使驱动管和非驱动管匹配，理想情况下，二者在个数上的分配不应该影响到ESD的性能；

m采用偶数主要是为了尽快能的保证版图上的对称，使每个finer尽可能的均匀开启。

Anihacyo · 发表于 2023-12-6 21:53:54

请教大神几个问题：
1. CDM状态下，如下图，内部电荷(电流)是如何往外泄放的？能否帮画下路线
2. Clamp的Trigger如何取？大于HBM上升沿就可以吗？其次BigFet的尺寸怎么取？按照沟道过流1.3A吗？

[讨论] 芯片级ESD防护设计答疑

站长推荐 /2