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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › ESD/EOS和latchup(芯片级) › ESD/EOS讨论区 › 芯片级ESD防护设计答疑
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楼主: jiangbing1975

[讨论] 芯片级ESD防护设计答疑

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发表于 2024-10-8 12:43:36 | 显示全部楼层
给力，全部看完
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conghangfu
发表于 2025-3-27 16:21:58 | 显示全部楼层


jiangbing1975 发表于 2018-1-5 14:31
回复 11# enian
泄放ESD能量的原理有两种，一种是使用Gate-grounded NMOS的寄生BJT开启泄放ESD，寄生BJT体 ...


这个解释不错。
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conghangfu
发表于 4 天前 | 显示全部楼层
花了一个下午看完了。。感谢楼主
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