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jiangbing1975 发表于 2018-1-5 14:31 回复 11# enian 泄放ESD能量的原理有两种,一种是使用Gate-grounded NMOS的寄生BJT开启泄放ESD,寄生BJT体 ...
jiangbing1975 发表于 2018-1-5 14:40 回复 11# enian 由于电路变成了Gate-grounded NMOS,此时“220V市电不断开关时”造成芯片电源电压过冲还 ...
立华奏 发表于 2022-5-30 20:19 大佬,请教一下,现在我们芯片很多电源和地直接用RDL从PAD拉到CORE区域(当然IO的PIN也是接到很充分的), ...
13798974948 发表于 2018-10-15 09:42 **** 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽 ****
啥都会 发表于 2022-6-2 08:56 您好,我想请教一下,1、图1是怎么实现ESD防护的 2、图1的模拟和数字的电压为什么可以直接相连。3、用solut ...
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