开版第二贴 大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

zhengqh123

学到很多，谢谢各位大牛的详细讲解

刀疤李373

谢谢 分享

dongwb

感谢各位分析  学习了

ksg12

很多人在误人子弟，ggnmos问题很明显，就是uniform snapback，在Drain 做SAB，相当于加了个blasting resister, 会改善很多，很多foundry推荐这种。gcnmos 就是为了解决uniform, 通过DG的耦合电容，降低Vt1，使得绝大多数的finger 进入snapbak, 但是，由于栅极电压升高，表面沟道会有电流，MOS要做好保护。
还有就是基于Rail 的RC+MOS的Clamp，这个是有MOS的沟道导通来泄放ESD的，好处就是可simulation仿真。GCNMOS玩的就是技巧，玩不好就弄巧成拙。

Yates

GGNMOS下寄生NPN是雪崩到衬底促使导通的，那GCNMOS涉及到gate电压，那这个寄生NPN是由于漏电流从沟道到衬底抬高沉底电势近而导通的，还是由于漏端雪崩到衬底促使NPN导通的呢

chrish2011

学习了

seagullzq

感谢各位大牛解惑，学习了

白雪公仆

赞，一个帖子砸出一堆高级专家。

江湖人92

受教了！

monixiaoqiang

   

jian1712 发表于 2012-12-20 00:04
回复 10# sunjimmy
说的很不错，GCNMOS改善了GGNMOS的导通均匀性，同时使得Vt1可调，GCNNMOS主要还是靠Bre ...

请问您用GGNMOS pass 多少kv的系统esd？size有多大，谢谢指教！