开版第二贴大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

zhengqh123 · 发表于 2017-12-12 18:01:20

学到很多，谢谢各位大牛的详细讲解

刀疤李373 · 发表于 2017-12-17 16:03:11

谢谢分享

dongwb · 发表于 2018-1-15 16:01:16

感谢各位分析学习了

ksg12 · 发表于 2018-1-18 20:38:40

很多人在误人子弟，ggnmos问题很明显，就是uniform snapback，在Drain 做SAB，相当于加了个blasting resister, 会改善很多，很多foundry推荐这种。gcnmos 就是为了解决uniform, 通过DG的耦合电容，降低Vt1，使得绝大多数的finger 进入snapbak, 但是，由于栅极电压升高，表面沟道会有电流，MOS要做好保护。
还有就是基于Rail 的RC+MOS的Clamp，这个是有MOS的沟道导通来泄放ESD的，好处就是可simulation仿真。GCNMOS玩的就是技巧，玩不好就弄巧成拙。