开版第二贴大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

shauncc21 · 发表于 2022-1-30 11:59:13

MicroEpzc 发表于 2021-8-12 11:39
您好，这里ESD电压越高，R越小，泄放电流越大，但看一些资料说，ESD器件的SAB结构，就是为了要增加drain ...

这个书上和论文说的不一样，论文讲的应该更正确，因为Fab做TLP实验就发现Ron并没有增大。论文认为使得Drain端峰值电场降低，LDD尖端放电效应减弱。

世一归 · 发表于 2022-3-16 23:56:03

take a mark 感谢前辈的发言

Yury_Sun · 发表于 2022-4-21 21:59:58

好帖子，学习了

Yury_Sun · 发表于 2022-4-21 22:20:24

有个疑惑，GCNMOS在电路正常工作时，会不会在gate端耦合出正电压，使得NMOS沟道导通，从而产生VDD-VSS的漏电。

glforever1987 · 发表于 2022-5-16 19:23:49

都是大佬，学习了

Scott2885212 · 发表于 2022-5-20 21:49:29

lanlan860207 发表于 2012-10-18 16:38
同样的NMOS的尺寸情况下，对比GCNMOS,GGNMOS两种结构：
1）GC当然费面积，是人都知道；
2）ESD脉冲来时，GC ...

1.33A, 不是你说的1.33mA.

Scott2885212 · 发表于 2022-5-20 21:51:00

Hefei CXMT 正在招 ESD 方向的人才，欢迎各位加入，

shauncc21 · 发表于 2022-6-28 16:04:30

ksg12 发表于 2018-1-18 20:38
很多人在误人子弟，ggnmos问题很明显，就是uniform snapback，在Drain 做SAB，相当于加了个blasting resist ...

大佬分析的很准确，很多人貌似回答的有缺陷。

shauncc21 · 发表于 2022-6-28 16:23:57

bing_bing 发表于 2020-6-8 11:34
GGnmos drain端加了sab增大了电阻之后是怎样使电流变得均匀的？另外，esd来临时不是要快速地将大电流泄放 ...

这个问题要了解MOS器件的演化过程，LDD和Sailicide Process的引入，导致MOS耐大电流的能力急剧下降，所以才不得已引起镇流电阻

shauncc21 · 发表于 2022-6-28 16:24:44

Yury_Sun 发表于 2022-4-21 22:20
有个疑惑，GCNMOS在电路正常工作时，会不会在gate端耦合出正电压，使得NMOS沟道导通，从而产生VDD-VSS的漏 ...

一般不会上电速度不一样

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