开版第二贴大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

jason.zou · 发表于 2014-10-1 19:54:11

学习了，多谢

ss221146 · 发表于 2014-10-16 23:22:36

如果是使用寄生电容只是接一个电阻的那种就还是利用击穿的，如果是正儿八经RC的，那就是要利用mos导通的 ...
enian 发表于 2014-10-1 02:23

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只接一个电阻使用寄生电容形式的GCNMOS结构还是用的击穿的原理，这个怎么理解，和GGNMOS的击穿一致吗还是有什么不同？

BuBu035 · 发表于 2015-4-1 21:40:41

很受用啊

xiaobaiyangESD · 发表于 2015-4-30 14:58:02

GGNMOS是工作在snapback下的而GC是利用RC检测电路正常开启的放电的位置一个在沟道一个在衬底

qiuqiuheng · 发表于 2015-5-8 17:12:32

GC如果做的好，protection Voltage会比GG的高很多，因为GC的泄放电流能力比GG强，同样大小的泄放电流下发热少

ruking · 发表于 2015-9-9 12:40:55

簡單來分的話，gcnmos用的更多的是其導通特性，而ggnmos用的更多的是其雪崩擊穿特性。。。

ksj116 · 发表于 2015-9-11 08:50:54

一般情况下，用在pwr 和gnd之间的是导通型的GC,而在输入输出pin与内部电路之间用的是击穿性的GG ESD结构。还有泄放电流的能力强弱主要还是看寄生内阻的大小，放电通道上的电阻越小，其ESD越强

muxl1 · 发表于 2015-9-29 18:47:51

分析得很好

我力可 · 发表于 2016-3-9 17:09:09

回复 5# soldierxfm

应该是GGnmos的面积更小

hadeheng · 发表于 2016-7-8 16:56:02

受教了。

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