开版第二贴大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

yw8381 · 发表于 2020-11-25 22:43:11

stone_bird 发表于 2013-11-7 16:37
从网上找了一篇论文；论文有介绍了GCNMOS的设计目的，设计方法，测试数据，可供参考。 ...

谢谢分享

xlteam2 · 发表于 2020-11-28 15:25:18

very good !

toplearner2020 · 发表于 2021-1-27 10:32:11

mark一下

冰峰九天雪 · 发表于 2021-2-20 16:35:35

学习了！

MicroEpzc · 发表于 2021-8-12 11:39:51

ksj116 发表于 2015-9-11 08:50
一般情况下，用在pwr 和gnd之间的是导通型的GC,而在输入输出pin与内部电路之间用的是击穿性的GG ESD结构。 ...

您好，这里ESD电压越高，R越小，泄放电流越大，但看一些资料说，ESD器件的SAB结构，就是为了要增加drain端的R，以提高ESD voltage，这里前者要减少R，增强泄放能力，后者要增加R，提高承压范围，这里感觉矛盾了，是否是一种折中？有点迷糊，请教一下

yylei · 发表于 2021-9-4 11:02:18

MicroEpzc 发表于 2021-8-12 11:39
您好，这里ESD电压越高，R越小，泄放电流越大，但看一些资料说，ESD器件的SAB结构，就是为了要增加drain ...

R是为了解决水平方向不均匀导通击穿问题。
寄生pnp管是纵向的，R应该影响不大，因为sab并没有覆盖contact区域。

level90 · 发表于 2021-10-22 15:58:52

mark, 很好的解答。。。

pph_cq · 发表于 2021-12-20 17:10:03

mark...

Scott2885212 · 发表于 2021-12-21 22:43:19

1.GGNMOS 优点：设计简单，开启速度快；缺点：存在不均匀导通的，通过大电流容易损害；2.GCNMOS 优点：能实现电流的均匀导通。缺点：设计复杂，容易latch-up;

子沫Lucas · 发表于 2022-1-5 20:08:48

学习了！

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