在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
楼主: jian1712

[讨论] 开版第二贴 大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

[复制链接]
发表于 2024-5-10 15:25:27 | 显示全部楼层
mark一下,学习了
发表于 2024-11-6 13:50:57 | 显示全部楼层
good mark
发表于 2024-11-20 13:55:12 | 显示全部楼层
感谢讨论
发表于 2024-12-4 09:20:37 | 显示全部楼层
GC的时间常数应该基于什么指标去设置呢?
发表于 2025-1-15 13:00:52 | 显示全部楼层


Yury_Sun 发表于 2022-4-21 22:20
有个疑惑,GCNMOS在电路正常工作时,会不会在gate端耦合出正电压,使得NMOS沟道导通,从而产生VDD-VSS的漏 ...


高速switching时,会在gate端耦合出正电压,使得NMOS沟道导通。这时候RC取值不能太大,或者上电1us之后将Gate强拉到GND。
发表于 2025-1-26 18:28:34 | 显示全部楼层
mark,学习了
发表于 2025-2-7 11:26:47 | 显示全部楼层
很棒!受教了
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-2-22 15:10 , Processed in 0.019933 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表