开版第二贴大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

wuy19910405 · 发表于 2019-5-23 21:25:40

受教了

liuliu7812 · 发表于 2019-9-18 18:17:07

顶起来啊，赞

Frankshenjj · 发表于 2019-11-19 16:32:07

好帖子，感谢！

xd_HR · 发表于 2020-1-6 13:22:18

#12楼的问题，怎么没人回复呢？

xd_HR · 发表于 2020-1-6 13:52:30

lisazhao 发表于 2014-1-29 10:09
回复 17# stone_bird
可以参看上图
1.在GGMOS 情况下寄生BJT的的导通是由雪崩击穿电流提供，在GCMOS情况下 ...

提到的这本书，能提供下电子版不，感激不尽

ericking0 · 发表于 2020-2-5 18:19:38

ksg12 发表于 2018-1-18 20:38
很多人在误人子弟，ggnmos问题很明显，就是uniform snapback，在Drain 做SAB，相当于加了个blasting resist ...

我现在的理解就卡在为什么Gate有RC，vt1就会减小？
vt1不应该是由横向NPN的BVCBO来决定的吗？
还是Gate上couple的电荷，couple到了channel产生bulk电流？drop到bulk电阻上，导致BS结开启，从而提前回到BVCEO？
如果这样的话，有啥方法指导设计没？

bing_bing · 发表于 2020-6-8 11:34:19

GGnmos drain端加了sab增大了电阻之后是怎样使电流变得均匀的？另外，esd来临时不是要快速地将大电流泄放掉吗，那么加了电阻岂不是阻挡电流的快速泄放？还是说这里面有某种妥协的存在？这个问题一直困扰着我

我诗故我在 · 发表于 2020-6-19 14:45:07

good mark

hadeheng · 发表于 2020-11-7 18:35:34

45楼提了个好问题，可惜没大佬吊

jasonbaba · 发表于 2020-11-19 10:13:28

說明得很好, 真的是有了解.

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