芯片级ESD防护设计答疑

yudiluochuang · 发表于 2019-11-5 11:36:34

jiangbing1975 发表于 2017-11-21 15:38
回复 8# fashion612

学习学习

LUCK168168 · 发表于 2020-3-23 10:29:56

DISCRET FET (LNA).如何防护？

jiangbing1975 · 发表于 2020-3-29 15:44:30

LUCK168168 发表于 2020-3-23 10:29
DISCRET FET (LNA).如何防护？

不好意思，没有接触过DISCRET FET。

hitzhabc · 发表于 2020-5-6 16:15:26

请教一个问题：输入PIN，采用GGNMOS加二级保护网络结构，HBM可以过6kv，但是MM模式IO对IO只能过200V，我觉得有点低。HBM和MM这两者有何联系？考虑MM和CDM模式的时候需要哪些特别注意的地方？之前只考虑HBM，对MM和CDM两种模式没琢磨过，所以问的比较笼统，如果可以的话，请多指教。

myfootprints0 · 发表于 2020-5-8 17:06:44

楼主，对于0.18um的工艺，如果用GGNMOS做ESD 器件，NMOS管的length和fingerWidth的值对ESD性能有什么影响？

yxw6 · 发表于 2020-5-12 23:22:07

大神们学习了

jiangbing1975 · 发表于 2020-8-1 19:36:12

hitzhabc 发表于 2020-5-6 16:15
请教一个问题：输入PIN，采用GGNMOS加二级保护网络结构，HBM可以过6kv，但是MM模式IO对IO只能过200V，我觉 ...

原理上HBM和MM是一样的，不会分开讨论，我没有听说过如何才能专门针对MM采取什么措施。
CDM和HBM(MM)原理上完全不一样，且CDM损伤一般出现在芯片内部，针对CDM防护，你需要专门查找一下这方面的资料学习一下，不是一句两句能描述清楚的。

jiangbing1975 · 发表于 2020-8-1 19:39:10

myfootprints0 发表于 2020-5-8 17:06
楼主，对于0.18um的工艺，如果用GGNMOS做ESD 器件，NMOS管的length和fingerWidth的值对ESD性能有什么影响？ ...

0.18um还是可以使用GGNMOS的，因为此时PN的击穿电压还是小于栅氧击穿电压的，利用GGNMOS寄生的BJT来保护栅氧没有问题。NMOS的length和width，一般fab厂都会给rule，按照rule设计即可。

viag · 发表于 2020-8-18 23:04:08

请教一下
芯片有VDDA/VDDD 2个电源
VSSA/VSSD 2个地。

分别为模拟域的电源地及数字域的电源地。

请问VSSA/VSSD之间是否必须加背靠背二极管
能否不加。

在封装之后，VSSA/VSSD是bonding到同一个PIN 的。

不知道在运输直到封装过程中会不会ESD损坏？

如果没有背靠背二极管，数模接口是否会出现打坏的情况？现在COB 之后进行测试，发现芯片测试可能数模接口有损伤
谢谢

laughing125 · 发表于 2020-9-8 15:47:42

myfootprints0 发表于 2020-5-8 17:06
楼主，对于0.18um的工艺，如果用GGNMOS做ESD 器件，NMOS管的length和fingerWidth的值对ESD性能有什么影响？ ...

length增大，能稍微提高器件BV和触发电压，但有降低失效电流的可能。而finger width影响器件失效电流。

[讨论] 芯片级ESD防护设计答疑

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