关于DDR3的刷新周期

linghuqiubai

看了DDR3的工作手册，关于刷新有这种说法：正常情况下的刷新间隔为tREFI，但是最多可以允许推迟8个刷新操作，如附件的图中所示。我就不明白了，刷新是为了保证DRAM中存储的数据不丢失，如果9倍的tREFI可以满足刷新需求的话，为啥不直接把刷新周期定为9tREFI？以及，如果真的推迟了也没有发生数据丢失的话，后面的刷新操作按正常进行就行了，为啥图中还需要在后头把推迟的8次刷新给补上？这不是多此一举吗？
希望高手指点一下，非常感谢~

haitaox

tREFI是刷新的平均周期。很多DRAM，常温下每次完整刷新的最小时间是64ms，一次完整刷新指的是把所有ROW都刷新一边。DRAM的每次刷新操作只能对一个ROW刷行，因此tREFI=64ms/row number。
如果前面刷新的慢了，必须要在后面把时间补回来。

linghuqiubai

回复 2# haitaox

明白了，不同的刷新针对的是不同的row，所以前面漏掉的后面才要补上
太感谢了！

gjb649666926

一般只要在ddr的spec规定的时间内发出的刷新的总的次数能满足要求就可以了，刷新一次ddr的每个row就加一次
这里为什么要一次发8个或者9个刷新的作用是，该刷新的时候就连续发多个刷新，这样就可以合理的插入read write active等命令，对read write的阻塞作用会一定程度地减小，最终造成数据的吞吐速率增加
同时，刷新前是需要下precharge all这个命令，这样也可以节省多个precharge all的命令个数

linghuqiubai

回复 4# gjb649666926

明白了，非常感谢！

董小三

每次刷新都会对所有逻辑bank都刷新吗？

robinliuy

刷新是平均的。不是必须按照一个间隔 。

linghuqiubai

回复 6# 董小三
同问！
每次刷新刷一行，俺也不知道是一个bank的一行还是所有bank的一行……
感觉应该是所有bank一起刷？

linghuqiubai

回复 7# robinliuy
嗯，多谢啦，能否回答一下6楼那个问题？

gjb649666926

回复 9# linghuqiubai


    每次刷行是对所有的bank的其中一个row都刷新一次，也就是每个bank内的控制刷行的计数器都加一次，但是不一定每个bank的row是相同的，所以一般64ms指的是遍历一个bank的时间，所有bank是并行刷新的。