关于DDR3的刷新周期

linghuqiubai · 发表于 2014-12-26 08:57:46

回复 10# gjb649666926

赞，太感谢了！

zhang_peng · 发表于 2015-6-12 15:01:58

谢谢解释，解开了我一些关于DDR的疑惑

smartchen · 发表于 2015-11-4 11:40:21

回复 10# gjb649666926

对于micron的DDR3，有的达到了16K的Row，但是refresh count仍然保持8K，所以我感觉并非一个REF命令刷一个Row。
不知道具体怎么操作的？

董小三 · 发表于 2015-11-5 09:02:57

回复 10# gjb649666926
这中情况下，刷新周期参数配置要小一半才行。

smartchen · 发表于 2015-11-5 15:45:29

回复 14# 董小三

你是指的我说的这种情况吗？
tREFI降低一半？也就是一般情况的7.8变为3.9？
但是micronde手册上并未这样指出啊？

freeren_liming · 发表于 2015-12-24 09:57:08

回复 15# smartchen

美光的文档上是有提到7.8（64ms/8192)和3.9 (32ms/8192)但是，这两个参数是针对不同的Tc的，不是针对row的

未羊 · 发表于 2016-11-2 11:50:12

很好！！！！！

justfigo · 发表于 2017-2-12 21:12:57

回复 16# freeren_liming

不管row的数目，平均刷新间隔tREFI都是7.8us。如果row比较多，那么一个刷新命令就会刷新更多的行，7.8us=64ms/8192得到的，这是跟以前的ddr2/ddr兼容。请注意另一个参数最小刷新间隔tRFC(min)，这个参数会随着row的增加而增大，为什么会这样呢？就是因为如果row更多，那么一个刷新命令就要刷新更多的行，那么就要求两个刷新命令之间的间隔更大。

chdaj58 · 发表于 2017-3-1 16:06:22

很好，谢谢解释

brotherzhao · 发表于 2019-9-9 20:20:39

justfigo 发表于 2017-2-12 21:12
回复 16# freeren_liming

这个问题困扰我很久了，终于看到解释了。非常感谢

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