面试归来，一个问题供大家讨论一下

michaelhust · 发表于 2012-9-12 14:39:29

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LZ 给面试官讲了一个之前设计的两级米勒补偿运放，第二级负载电容CL会从0到很大。然后面试问主次极点，楼主回答低负载电容，主极点在第一级，次级点在第二级；高负载电容，主极点在第二级，次级点在第一级。
然后，面试官质疑，主次极点交换的时候，必然出现一个点，主极点等于次级点，所以LZ设计的这个两级运放设计有问题。
LZ很困惑，讲出来大家分析讨论一个，面试官的质疑是否合理。

ps：实际面试时候讲的是一个结构稍复杂的ldo，帖子里换成两级米勒补偿运放，方便大家讨论

另外，楼主没有流片经历，面试时候是说有好还是坦白交代好？谢谢

jxjxhwx · 发表于 2012-9-12 15:07:53

面试官傻逼，密勒补偿运放负载电容增加后必然会有一个临界点啊，这个点上两级点相等。密勒补偿运放不能驱动大负载电容。要驱动大负载电容，直接把补偿电容去了，效果岂不更好？

jxjxhwx · 发表于 2012-9-12 15:09:12

回复 1# michaelhust

拉扎维301页有些话也许可以看看

gaojun927 · 发表于 2012-9-12 15:48:38

那到底有没有这个临界点呢？估计lz自己也拿不准，我也拿不准。所以我觉得面试官的疑问也很正常。从单纯数学上考虑，就是一个f（cl）的表达式，有多个极零点，这些极零点如何随cl的变化而变化位置，有些像root locus的概念，轨迹应该是连续的才对，但是不是会重合却未必。印象中这是capless ldo里爱讨论的问题。

michaelhust · 发表于 2012-9-12 17:14:25

回复 2# jxjxhwx

负载电容是会变的，必须考虑负载在大变化范围内都稳定

michaelhust · 发表于 2012-9-12 17:19:37

本帖最后由 michaelhust 于 2012-9-12 17:23 编辑

回复 4# gaojun927

LZ 根据root locus技术认为不存在临界这种情况，不知道有其它解释不

jxjxhwx · 发表于 2012-9-12 17:26:49

回复 5# michaelhust

用三级结构可能好解决吧，我乱想的，没试过哈

gm-cfiltersz · 发表于 2012-9-12 18:29:50

面试的人问的没问题，你那样的补偿在LDO设计中会出问题的。

425454832 · 发表于 2012-9-12 18:36:20

根据什么负载，设计什么运放

guang3000 · 发表于 2012-9-12 19:18:16

看到书上提过，别人也说过，不过自己没遇到过，迷惑。。。

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