bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？

jiang_shuguo

回复 30# hszgl


    相比mos ，bjt噪声可以忽略的。

jiang_shuguo

原理是这样的。热噪声：4KTjgm，一般j=2/3,而j是随工艺变化的，比如0.13工艺j值比0.18工艺j值的大50%
1/f 噪声：Kf/(WLCox*Cox),Cox正比1/tox,工艺越先进tox越小，Cox越大，Kf/(WLCox*Cox)越小，而且这种变化是平方变化，变化很快。
但我了解在工艺达到一定程度比如90nm ，tox不在继续减小（漏电问题），而是采用high K 材料。这样应该会影响Kf吧。

jiang_shuguo

回复 29# china8894


    你要试也得用0.35um工艺试，你用65， 40nm的跟你用0.18um的都是热噪声主导，区别就是65， 40nm的热噪声更大些，1/f 噪声更小相比与0.18um。

hszgl

回复 32# jiang_shuguo


    貌似反了吧，等效为电压噪声应该是gm的倒数吧。

hszgl

回复 32# jiang_shuguo


    用high K是为了在不继续减小tox的前提下增大Cox，其实就看Cox的关系。Kf随偏置电压变化的量，应该只是为了模型拟合取的一个系数，物理上的含义并不明确。

china8894

回复  jiang_shuguo


    用high K是为了在不继续减小tox的前提下增大Cox，其实就看Cox的关系。Kf随偏 ...
hszgl 发表于 2013-9-10 16:24

                               
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    表示基础太好了

hszgl

回复 36# china8894


    过奖。其实很多东西我也不懂，都是现学现卖。。。

jiang_shuguo

回复 34# hszgl

呵呵，我那是噪声电流，用噪声电压或噪声电流无关系，都得到同样的输出噪声。

jiang_shuguo

回复  jiang_shuguo


    用high K是为了在不继续减小tox的前提下增大Cox，其实就看Cox的关系。Kf随偏 ...
hszgl 发表于 2013-9-10 16:24

                               
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你这个用high K材料的原因不对，呵呵。

hszgl

回复 39# jiang_shuguo


    前面说的都是噪声电压，就不要突然换成噪声电流的表达式。因为前面说了增加gm可以降低噪声，现在的表达式很容易引起歧义。

    High k材料的应用原因我确定是对的，k是指介电常数。由于Vgb持续降低，起初采用减小栅氧厚度来提高Cox，以实现在更小电压下反型的目的。但是在栅氧薄到一定程度以后（<10nm，据说intel搞到了1.2nm），绝缘层形成的势垒宽度太窄而容易出现隧穿效应，也就是你说的漏电流太大。因此通过换用高介电常数材料（即high k材料）来替代原有材料，以满足同时具有足够大的Cox和Tox条件。我知道的栅氧发展过程由SiO2到SiN再到HfO2，据说45nm以下又不一样了，所以现在是什么我已经搞不清楚了。