bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？

hszgl · 发表于 2013-9-13 22:45:42

回复 fuyibin

确实，这个表述不怎么准确，Vth还受其他因素的影响。而且提高Cox也不是为了降低Vt ...
hszgl 发表于 2013-9-11 16:18

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昨天在火车上考虑了一下，觉得我的说法还是有问题。应该还是说Q=CV，更大的Cox可以让更小的V控制更多的载流子。也就是fuyibin大大说的意思。

小勺 · 发表于 2013-9-13 22:49:08

没有这么简单，噪声大的话，也可以采用电路里面的噪声匹配方式，如果管子很大的话，

hszgl · 发表于 2013-9-13 22:50:31

回复 90# ygchen2

话说昨天我在火车上没机会上论坛居然错过了你俩搞的那么激情四射的过程。。。

calm down calm down....

ygchen2 · 发表于 2013-9-16 09:42:30

昨天在火车上考虑了一下，觉得我的说法还是有问题。应该还是说Q=CV，更大的Cox可以让更小的V控制 ...
hszgl 发表于 2013-9-13 22:45

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如果没记错的话，fuyibin 在59# 说的应该正是最主要的high-k栅绝缘材料被引入的原因，再加上沟道注入调节Vt，以及halo注入用来减少DIBL等短沟效应（当然因此也引入了沟道很短时的反短沟效应）, 大致概括了现在用于0.13um及以下通用CMOS工艺的最主要手段。

hszgl · 发表于 2013-9-16 13:56:55

回复 94# ygchen2

没错。

Huazhong_wyl · 发表于 2021-6-22 10:09:58

xuriver2012 发表于 2013-9-9 17:06
其实没有什么特别的：
1）如果是flicker noise比较大，那么增大MOS管的面积将会有明显的改善。
2）如果是热 ...

谢谢大佬的指导

[求助] bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？