bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？

ygchen2

你这个用high K材料的原因不对，呵呵。
jiang_shuguo 发表于 2013-9-10 22:06

                               
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这应该至少是用high K材料的部分原因。。。

jiang_shuguo

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    前面说的都是噪声电压，就不要突然换成噪声电流的表达式。因为前面说了增加g ...
hszgl 发表于 2013-9-11 02:46

                               
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    首先，关于表达式的问题，第一，他们说的那些我没看。第二变化gm改善噪声都不是针对某个管子，而是考虑整个电路折合到等效输入噪声考虑，最后结果是一样的。
    关于high K材料，产生原因你没搞清楚。简单发展是这样的：我们的mos速度慢，不行啊，要提速。那么想办法，得到减小L，减小tox，等一些参数（mos scaling，或按恒定电场或按恒定，，忘了）。这么做不错，速度提高了，但继续做下去发现问题出现了，gate leakage 与Tox成指数关系增加，漏电太大！然后就研究high K材料了。使mos速度继续提高，电压继续降低，而gate leakage 不在增加（tox不变）。这个解决漏电的依据是gate leakage 与Tox的方程。这个方程我忘了。
   主要是我做过关于high K材料的报告，才这么跟你说的。若不是我所说的，王鹏飞老师会指出我的错误的，毕竟他在国内也够牛了吧，不是刚上过新闻联播么。呵呵。

jiang_shuguo

回复 41# ygchen2


    呵呵，不是。

jiang_shuguo

回复 40# hszgl


    我今天下班回去再看看那份报告，以确定下我的解释。我怕时间久了哪里有遗漏。

jiang_shuguo

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    前面说的都是噪声电压，就不要突然换成噪声电流的表达式。因为前面说了增加g ...
hszgl 发表于 2013-9-11 02:46

                               
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    你说的High K在不变tox下增加Cox，这个是对的。但不是使用High K材料的原因。我现在渐渐想起来了我做报告时候，有同学也这么误认为的。（Cox变不变或者怎么变，对漏电没关系，关键是Tox，和漏电和High K是直接的。这个就是Tox减小，漏电出现，引入High K，结果导致Cox变大。即是High K导致Cox变大，不是为了这个目的引入high K）

hszgl

回复 45# jiang_shuguo


    我想是语序原因导致你的误解。或者说你理解的有点偏执。我没有否定你说的漏电是根本原因，我是接着你的话补充了一下。降低tox的目的是为了提高Cox，但是由于tox不能再降了，才需要通过提高介电系数来继续提高Cox。

silverwolfman

调大决定性管子的尺寸
在信号出来之后过多阶的filter

jiang_shuguo

回复 46# hszgl


    有一点我不明白，你说降低tox是为了提高Cox。这个我不太清楚，但是我不认为是这样，因为器件scaling是为了低功耗，高速工作。为何会有为了提高Cox？Cox不是越小速度越快么？Cox提高除了寄生电容大，还会有什么优点么？说以我不赞同降低tox是为了提高Cox。我认为降低tox导致了Cox提高。

jiang_shuguo

回复 46# hszgl


    Cox提高也不是因为耐压问题，耐压问题也是利用Hign K材料解决。

hszgl

回复 48# jiang_shuguo


    提高Cox是为了能在更低的电压下让半导体反型。直观的理解就是减小Vth。可能你离开学校时间久了，需要回去复习一下器件物理了。