bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？

china8894

bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？

ygchen2

有多大？

china8894

回复 2# ygchen2


    有四五个管子，每个管子的平均热噪声大概38.5uV吧

ygchen2

回复 3# china8894

如果可以简单相加，总共也就是小于0.2mV?

china8894

回复 4# ygchen2


    恩，还是蛮大的

china8894

回复 4# ygchen2


    点噪和积分噪声有什么区别？

ygchen2

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其它因素造成的变化有多大？要先抓主要矛盾。。。

hszgl

回复 6# china8894


    噪声是一种能量，实际关注的是其功率密度谱。谱线上每点的单位为v^2/Hz。为了能和信号电压进行比较，通常会开方，用V/root(Hz)。
而你说的38.5uV，则是在有限频率范围内对功率密度谱线的积分，也就是说在这个频率范围内，噪声电压的影响程度。但说来这个绝对值没什么用，你要关注的应该是信噪比SNR，单位是dB。

在器件结构和工艺定下以后，有色噪声还有点办法处理，热噪声、散粒噪声这类白噪声就不是你能控制的了。

s2is

楼主讲的应该是flicker noise dominant，可以增大管子面积……代价是大的寄生，且需要更大的补偿。

xuriver2012

其实没有什么特别的：
1）如果是flicker noise比较大，那么增大MOS管的面积将会有明显的改善。
2）如果是热噪声，那么把MOS管的等效电阻做小就可以了。具体到OP，就是输入管的gm做大，电流偏置管的gm做小（比如说降低它的W/L）。