MO管的Vdsat和Vds

fightshan

我知道判断管子是否饱和是通过Vds和Vdsat的关系判断的，如果|Vds|>|Vdsat|，那么管子应该是饱和的。
长沟道管子可以近似认为Vdast=Vov=Vgs-Vth，但是现在用的短沟道晶体管Vdast和Vov相差很多，|Vdsat|>|Vov|，而我能设计的是管子的Vgs，我想知道短沟道的Vdsat跟哪些因素有关系？
我仿真得到的趋势是Vov越小，Vdsat越小，但是它们之间有时候差20mV，有时候差50mV，这对1.2V或者1.1V供电的电路影响很大，哪位大神来讲一下，我如何控制管子的Vdsat？

lwjee

只看gm/gds

Tina1020

请问楼主这个问题解决了吗？未入门菜鸟求教

liuzexue

在短沟道设计时，管子的vdsat意义不是很大。因为它的I-V曲线不像长沟道那样各工作区差别明显。你可以去仿真一下I-V曲线，观察一下你能接受的真正的转折点在什么地方。

话说回来，短沟道的vdsat和各端口电压、尺寸等很多因素都有关。所以不是那么好有个简单的对应关系。但是vdsat和vov还是大致上相等的。