LDO设计高手来帮帮忙看看咋回事哦

koudoushini

   

lsh0211 发表于 2011-5-24 22:51
这样的结构我用过，流片也ok了

1.图2是Ti的paper，是对图1的改进，减小了buffer的输出电阻，提高该极点的 ...

你最后是怎么做好不同负载下的稳定性的，因为我也用了这个架构（外挂1uF）然后就是stb出来的PM和GM是没问题的，但是tran是有问题的，应该是共轭极点的问题，解决的方法就是加大M3的gm，也就是加大电流，但是电流加大了后整个环路的增益就不够了，精度也差了，想问一下你是怎么解决这个问题的。