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查看: 3312|回复: 5

[求助] 多晶硅电阻宽度变化,via消失。

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发表于 2014-7-8 21:25:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大家好,我在花版图时遇到了非常奇怪的问题,我用多晶硅电阻,L3um, W800nm,则显示via。如果改成L3um,W1um,则via就没有了,有没有人遇到过同样的问题啊。
fig.png
发表于 2014-7-9 07:38:01 | 显示全部楼层
via 沒有 ?
一般 LAYOUT TOOLS 有些會有 display bug .zoom out 會看不到小

另個是你使用 PDK 類畫  , PDK 可能剛好有 bug 會某些w/L 出錯
沒有 就自己補.
以前沒有 PDK 時, layout 還不是直接畫
发表于 2014-7-9 09:33:08 | 显示全部楼层
同意樓上的說法
 楼主| 发表于 2014-7-9 16:22:41 | 显示全部楼层
多谢两位啦,只要DRC没问题,我就打算自己铺啦。
 楼主| 发表于 2014-7-10 16:39:14 | 显示全部楼层
再次求教,我试了直接加poly和metal 1之间的通孔,但是DRC过不了,原因是当多晶硅电阻宽度增大了以后,在通孔消失的位置多了一个叉形区域,那个区域是layer "CABAR",也就是说不允许打poly到metal 1的通孔(poly到metal 1的通孔layer是CA)。大家还有没有其他办法啊,有没有人遇到过这样的问题。谢谢。
 楼主| 发表于 2014-7-10 22:43:20 | 显示全部楼层
以解决,好像并不影响LVS。
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