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[求助] 带隙中的电阻问题?

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发表于 2016-6-1 22:20:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本人菜鸟,这几天在做一个带隙,用的是smic018的工艺,电阻采用的是Non-silicide p+ poly (模型名称:rpposab),仿真的时候发现电阻两端没有压降,电路无法正常工作,但换成普通电阻就可以,用DC Operating Points 和op也显示不出多晶硅电阻的参数。上网搜了一下,也问了实验室的师兄,还是没解决问题,只好发贴求助了,不知道版上的大神们有没有遇到过这种情况?该如何解决呢?多谢各位了!
 楼主| 发表于 2016-6-2 13:24:47 | 显示全部楼层
自己顶一下
发表于 2016-6-2 18:00:22 | 显示全部楼层
subckt 的形式
发表于 2016-6-4 07:22:47 | 显示全部楼层
模型调用不正确,现在大部分模型都是subckt模型
发表于 2016-6-4 12:18:31 | 显示全部楼层
MODEL is Wrong. It happen.
发表于 2016-6-4 18:59:03 | 显示全部楼层
你新开一个文件夹,单用一个工艺库试试,以前就碰到过不同工艺厂的库放在一起出莫名其妙的问题
发表于 2016-6-8 16:50:40 | 显示全部楼层
回复 1# 落寞雨飞扬


   想问下这个电阻是如何选择的,除了考虑功耗和面积外,还要考虑哪些问题?
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