带隙中的电阻问题？

落寞雨飞扬 · 发表于 2016-6-1 22:20:37

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本人菜鸟，这几天在做一个带隙，用的是smic018的工艺，电阻采用的是Non-silicide p+ poly (模型名称：rpposab)，仿真的时候发现电阻两端没有压降，电路无法正常工作，但换成普通电阻就可以，用DC Operating Points 和op也显示不出多晶硅电阻的参数。上网搜了一下，也问了实验室的师兄，还是没解决问题，只好发贴求助了，不知道版上的大神们有没有遇到过这种情况？该如何解决呢？多谢各位了！

落寞雨飞扬 · 发表于 2016-6-2 13:24:47

自己顶一下

jamesccp · 发表于 2016-6-2 18:00:22

subckt 的形式

feel100 · 发表于 2016-6-4 07:22:47

模型调用不正确，现在大部分模型都是subckt模型

raf_song · 发表于 2016-6-4 12:18:31

MODEL is Wrong. It happen.

math123 · 发表于 2016-6-4 18:59:03

你新开一个文件夹，单用一个工艺库试试，以前就碰到过不同工艺厂的库放在一起出莫名其妙的问题

tf001 · 发表于 2016-6-8 16:50:40

回复 1# 落寞雨飞扬

想问下这个电阻是如何选择的，除了考虑功耗和面积外，还要考虑哪些问题？

[求助] 带隙中的电阻问题？

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