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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子）› ESD/EOS和latchup(芯片级)› ESD/EOS讨论区
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ESD/EOS讨论区 今日: 1 |主题: 757|排名: 152 

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公告 公告: 大附件建议上传在云盘，然后分享链接（可以自行设定下载积分） jackzhang 2025-1-14    
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全局置顶 隐藏置顶帖 ISSCC 2008-2025 全集(论坛帖子链接汇总)  ...23 leonhao 2025-2-27 2811324 weigong10 前天 11:54
全局置顶 隐藏置顶帖 工业电子元器件物料在线查询下载  ...2345 jackzhang 2024-6-3 4724778 sutaotao2001 前天 08:16
      
Yuki_IC2024-12-141643Yuki_IC2024-12-2 17:14
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jackzhang2024-11-29153831873notforme昨天 23:02
[求助] JEDEC JS-001和 GJB 548C 规定的A_B端放置10KΩ旁路电阻作用 New zhangyang370281 5 天前 081 zhangyang370281 5 天前
[求助] 地对电源打正压会坏的原因是什么？ 霍比特美凌格 7 天前 4265 霍比特美凌格 5 天前
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[求助] TLP 曲线的两个电压 wenfangsibao 2025-4-23 0123 wenfangsibao 2025-4-23 17:50
[求助] TLP 曲线横坐标电压和纵坐标电流是配套产生的吗？ wenfangsibao 2025-4-23 1147 xingxing58 7 天前
[求助] SMIC40nm_IO版图加上SAB,LVS过不了；去除SAB,LVS没有问题。 attach_img bubushenghua 2025-4-23 9394 zgjj 5 天前
[求助] 悬空N阱的闩锁风险问题 uray555 2025-4-14 1299 William_zxh 2025-4-14 23:01
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[求助] 想要建立一套latchup的design rule，需要做哪些testkey？ iankim33 2025-3-20 0368 iankim33 2025-3-20 19:53
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[求助] 关于ESD器件的外侧N环原理和使用 attach_img Wzx_imos 2025-2-17 3788 小枫wzy 2025-2-18 10:10
[求助] 40nm工艺中，1.1V CORE电压使用的powerclamp中泄流管，直接用普通core管就可以吗？ iankim33 2025-2-17 1503 zhangyang370281 2025-2-19 10:44
论坛管理员-12024-11-1817523028tomasrexliu2025-4-18 12:27
[求助] 一个典型的使用RC频率触发的powerclamp的vt1，vt2，Ron1，Ron2参数指什么意思呀？ iankim33 2025-2-17 2466 IC_Spark 2025-4-1 17:03
[原创] ESD问题 新人帖 陈十一 2025-2-12 4574 hujiangtao007 2025-4-11 18:23
[求助] 有没有ESD大佬可以兼职做项目的 萧瑟 2025-2-11 3690 fei_SH 2025-3-27 10:45
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