latch up失效如何分析

lz11

流了个耐正负压的片，功能正常，latch up测试fail，现象是烧片，烧了一大块，有的pin正压能过400mA，有的过不了150mA，反向没有能过150mA的。咨询一下，这种情况怎么个分析流程，大佬救救我

laojun001

最好有中芯国际这样代工厂专家进入论坛才具有权威性一点，流片的人很少，估计能帮助你的人不多，寻求中芯国际华虹等一些代工厂的帮助吧，这样论坛就具备权威性一点了

phoenixson

分析热点，然后对照版图找到可能发生缺陷的位置，进行修正就行了。首先确保要从版图层面确实带入了latchup rule ，并进行了检查。

chuchuang

烧了直接去层delayer 看哪里烧坏了 再看对应版图分析  只是电流大 就去照inngas 看亮点位置分析

lz11

chuchuang 发表于 2025-5-28 19:18
烧了直接去层delayer 看哪里烧坏了 再看对应版图分析  只是电流大 就去照inngas 看亮点位置分析  ...

ESD 做HBM打坏了的话倒是做过delayer和EMMI，但这个烧坏的地方太大了，delayer了还是啥也看不出来，救救孩子

lz11

对了，芯片是耐正负高压60V的

fei_SH

这个得case by case一对一的看，而且需要看很细节的东西，需要有经验的人帮忙才行。
可以提供给你一个大概的思路：
1. 测试上需要分条件测试debug，确认确切的失效条件。比如 电源降低能否通过，其他PIN置高置地是否有差异，不同位置PIN是否有差异，负压限压的影响等等。确认不是测试或者设置引入差异。
2. 工艺上是否有天生缺陷？ 有一些工艺天生就LU性能较差，特别是负电流，工艺上需要做改进。
3.烧坏一大片的地方电路版图要去check，可以降低电源，限流，让烧毁轻微一点，可以看到初始发生latchup发生的地方，而不是少一大片，FA没法给出有效信息。
4.提出设想去FIB，改版，去验证。

chuchuang

lz11 发表于 2025-5-29 15:33
ESD 做HBM打坏了的话倒是做过delayer和EMMI，但这个烧坏的地方太大了，delayer了还是啥也看不出来，救救 ...

看到管子坏了就行啊  比如输出管还是esd管 中间还是两边  处理过几次esd问题 后面处理的方法简单粗暴 大力出奇迹 加大esd管

lz11

老大说 有大电流流过 顶铝改RDL减小阻抗 不知道LU能不能过

lz11

chuchuang 发表于 2025-6-18 11:00
看到管子坏了就行啊  比如输出管还是esd管 中间还是两边  处理过几次esd问题 后面处理的方法简单粗暴 大 ...

看不到 烧了一大片 囊括很多管子