对于具备failsafe，即防倒灌功能的IO进行Latchup+100mA测试，怎么保证电流能成功注入？

iankim33

我的理解：由于IO本身的failsafe功能，当PAD电位高于VDD50时，Nwell电位会跟随PAD电压，即在进行+100mA测试时，不能通过正偏的PN结将电流注入到Nwell里。只能通过击穿NMOS的源漏和其衬底，直接注入到Psub上。但是由于进行LUP测试时，会存在1.5Vmax的电压上限，不知道这个电压能否直接反向击穿NMOS源漏和Psub的寄生二极管呢。