不同器件的ESD能力差别

jdxiaodai

请教一下各位大佬，rc clamp 和 diode的ESD能力具体有什么差别？比如电流能力、开启速度、导通电阻方面？
IO device voltage 1.8V，做了casdade结构，overdrive到3.3V。
3.3V power/ground之间加了cascade clamp，但是TSMC design rule规定ESD器件如果是cascade clamp结构，要求在power/ground之间再额外加一个反向的hia diode。
这是什么原因呢，clamp比diode弱吗 还是开启速度慢

JY_1011

我认为，IO在地打负压、电源打正压时，cascade clamp有两个正偏的二极管，而内部电路大多数P和N管也是组成两个二极管，加一个反向的hia diode（这个情况是正向），ESD电流不易往内部电路串。