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楼主: jian1712

[讨论] 开版第二贴 大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

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发表于 2019-5-23 21:25:40 | 显示全部楼层
受教了
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发表于 2019-9-18 18:17:07 | 显示全部楼层
顶起来啊,赞
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发表于 2019-11-19 16:32:07 | 显示全部楼层
好帖子,感谢!
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发表于 2020-1-6 13:22:18 | 显示全部楼层
#12楼的问题,怎么没人回复呢?
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发表于 2020-1-6 13:52:30 | 显示全部楼层


   
lisazhao 发表于 2014-1-29 10:09
回复 17# stone_bird
可以参看上图
1.在GGMOS 情况下寄生BJT的的导通是由雪崩击穿电流提供,在GCMOS情况下 ...


提到的这本书,能提供下电子版不,感激不尽
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发表于 2020-2-5 18:19:38 | 显示全部楼层


   
ksg12 发表于 2018-1-18 20:38
很多人在误人子弟,ggnmos问题很明显,就是uniform snapback,在Drain 做SAB,相当于加了个blasting resist ...


我现在的理解就卡在为什么Gate有RC,vt1就会减小?
vt1不应该是由横向NPN的BVCBO来决定的吗?
还是Gate上couple的电荷,couple到了channel产生bulk电流?drop到bulk电阻上,导致BS结开启,从而提前回到BVCEO?
如果这样的话,有啥方法指导设计没?


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发表于 2020-6-8 11:34:19 | 显示全部楼层
GGnmos  drain端加了sab增大了电阻之后是怎样使电流变得均匀的?另外,esd来临时不是要快速地将大电流泄放掉吗,那么加了电阻岂不是阻挡电流的快速泄放?还是说这里面有某种妥协的存在?这个问题一直困扰着我
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发表于 2020-6-19 14:45:07 | 显示全部楼层
good mark
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