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电动/混动汽车、48V系统、汽车功能安全等技术资料合集
楼主: jian1712

[讨论] 开版第二贴 大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

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发表于 2017-1-12 13:49:38 | 显示全部楼层
分析的不错
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发表于 2017-2-6 17:33:59 | 显示全部楼层




    gate couple Nmos 有一个很大问题
,如果
vcc 使用
一般rc,  RC时间要选对
, 才会打
esd时那瞬间去打开mos,

不过
因为高压MOS 来说有些人认为高压nmos较差 ,  所以会改使用高压pmos来打开
.

另外
ggnmos一般来说 ,  还有一种是 (a) 使用p-n-p-n scr trigger  方式ESD NMOS cell  另类(b) 就是一般
nmos ,
但是
snapback电压

holding电压
, 有些设计esd发生时会 ESD 在
vcc
latch一个电压产生耗电
.
for example FLYBACKPWM
chip 就不该在vcc上使用会
LATCH 现象的esd cell


Ggnmos nmos
gate端以前还有对地加几k 电阻, 某些esdpaper 说会改善esd 比单纯
gate gnd

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发表于 2017-2-8 17:17:58 | 显示全部楼层
回复 14# stone_bird


    谢谢分享!
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发表于 2017-2-8 17:22:15 | 显示全部楼层
好文!学习
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发表于 2017-3-2 19:08:15 | 显示全部楼层
讨论的在理,留爪印。
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发表于 2017-3-13 13:36:37 | 显示全部楼层
恍然大悟,学习了
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发表于 2017-3-15 22:17:12 | 显示全部楼层
Goooooooooooooooooooooooooooooooooooood
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发表于 2017-3-15 23:08:50 | 显示全部楼层
Gooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooood
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发表于 2017-6-15 20:44:19 | 显示全部楼层
一直想知道GC模式下怎么计算电阻阻值!
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发表于 2017-12-4 18:14:55 | 显示全部楼层
来看看
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