开版第二贴 大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

sxb841018

分析的不错

andy2000a

   

分析的不错
sxb841018 发表于 2017-1-12 13:49

                               
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    gate couple Nmos 有一个很大问题
,如果
vcc 使用
一般rc,  RC时间要选对
, 才会打
esd时那瞬间去打开mos,

不过
因为高压MOS 来说有些人认为高压nmos较差 ,  所以会改使用高压pmos来打开
.

另外
ggnmos一般来说 ,  还有一种是 (a)　使用p-n-p-n 的scr trigger  方式ESD NMOS cell  另类(b) 就是一般
nmos ,
但是
snapback电压
和
holding电压
, 有些设计esd发生时会 ESD 在
vcc去
latch一个电压产生耗电
.
for example FLYBACKPWM的chip 就不该在vcc上使用会
LATCH 现象的esd cell

Ggnmos 其nmos的
gate端以前还有对地加几k 电阻, 某些esdpaper 说会改善esd 比单纯
gate 接gnd好

378348603

回复 14# stone_bird


    谢谢分享！

378348603

好文！学习

sandisc

讨论的在理，留爪印。

梦一直听不懂

恍然大悟，学习了

brianguy

Goooooooooooooooooooooooooooooooooooood

brianguy

Gooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooood

fuyouth

一直想知道GC模式下怎么计算电阻阻值！

fuyouth

来看看