开版第二贴大家讨论一下GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

sxb841018 · 发表于 2017-1-12 13:49:38

分析的不错

andy2000a · 发表于 2017-2-6 17:33:59

分析的不错
sxb841018 发表于 2017-1-12 13:49

登录/注册后可看大图

gate couple Nmos 有一个很大问题
,如果
vcc 使用
一般rc,  RC时间要选对
, 才会打
esd时那瞬间去打开mos,

不过
因为高压MOS 来说有些人认为高压nmos较差 ,  所以会改使用高压pmos来打开
.

另外
ggnmos一般来说 ,  还有一种是 (a)　使用p-n-p-n 的scr trigger  方式ESD NMOS cell  另类(b) 就是一般
nmos ,
但是
snapback电压
和
holding电压
, 有些设计esd发生时会 ESD 在
vcc去
latch一个电压产生耗电
.
for example FLYBACKPWM的chip 就不该在vcc上使用会
LATCH 现象的esd cell

Ggnmos 其nmos的
gate端以前还有对地加几k 电阻, 某些esdpaper 说会改善esd 比单纯
gate 接gnd好

378348603 · 发表于 2017-2-8 17:17:58

回复 14# stone_bird

谢谢分享！

378348603 · 发表于 2017-2-8 17:22:15

好文！学习

sandisc · 发表于 2017-3-2 19:08:15

讨论的在理，留爪印。

梦一直听不懂 · 发表于 2017-3-13 13:36:37

恍然大悟，学习了

brianguy · 发表于 2017-3-15 22:17:12

Goooooooooooooooooooooooooooooooooooood

brianguy · 发表于 2017-3-15 23:08:50

Gooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooood

fuyouth · 发表于 2017-6-15 20:44:19

一直想知道GC模式下怎么计算电阻阻值！

fuyouth · 发表于 2017-12-4 18:14:55

来看看

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