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[求助] 关于DDR3的刷新周期

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发表于 2014-10-29 17:29:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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看了DDR3的工作手册,关于刷新有这种说法:正常情况下的刷新间隔为tREFI,但是最多可以允许推迟8个刷新操作,如附件的图中所示。我就不明白了,刷新是为了保证DRAM中存储的数据不丢失,如果9倍的tREFI可以满足刷新需求的话,为啥不直接把刷新周期定为9tREFI?以及,如果真的推迟了也没有发生数据丢失的话,后面的刷新操作按正常进行就行了,为啥图中还需要在后头把推迟的8次刷新给补上?这不是多此一举吗?
希望高手指点一下,非常感谢~
图片1.png
发表于 2014-10-29 17:43:00 | 显示全部楼层
tREFI是刷新的平均周期。很多DRAM,常温下每次完整刷新的最小时间是64ms,一次完整刷新指的是把所有ROW都刷新一边。DRAM的每次刷新操作只能对一个ROW刷行,因此tREFI=64ms/row number。
如果前面刷新的慢了,必须要在后面把时间补回来。
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 楼主| 发表于 2014-10-30 08:52:09 | 显示全部楼层
回复 2# haitaox

明白了,不同的刷新针对的是不同的row,所以前面漏掉的后面才要补上
太感谢了!
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发表于 2014-12-25 01:54:34 | 显示全部楼层
一般只要在ddr的spec规定的时间内发出的刷新的总的次数能满足要求就可以了,刷新一次ddr的每个row就加一次
这里为什么要一次发8个或者9个刷新的作用是,该刷新的时候就连续发多个刷新,这样就可以合理的插入read write active等命令,对read write的阻塞作用会一定程度地减小,最终造成数据的吞吐速率增加
同时,刷新前是需要下precharge all这个命令,这样也可以节省多个precharge all的命令个数
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 楼主| 发表于 2014-12-25 08:54:19 | 显示全部楼层
回复 4# gjb649666926

明白了,非常感谢!
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发表于 2014-12-25 13:19:37 | 显示全部楼层
每次刷新都会对所有逻辑bank都刷新吗?
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发表于 2014-12-25 13:59:50 | 显示全部楼层
刷新是平均的。不是必须按照一个间隔 。
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 楼主| 发表于 2014-12-25 16:15:15 | 显示全部楼层
回复 6# 董小三
同问!
每次刷新刷一行,俺也不知道是一个bank的一行还是所有bank的一行……
感觉应该是所有bank一起刷?
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 楼主| 发表于 2014-12-25 16:17:27 | 显示全部楼层
回复 7# robinliuy
嗯,多谢啦,能否回答一下6楼那个问题?
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发表于 2014-12-25 22:55:46 | 显示全部楼层
回复 9# linghuqiubai


    每次刷行是对所有的bank的其中一个row都刷新一次,也就是每个bank内的控制刷行的计数器都加一次,但是不一定每个bank的row是相同的,所以一般64ms指的是遍历一个bank的时间,所有bank是并行刷新的。
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