关于一个基准电压的求助

jiang_shuguo

for u  area is the last consideration,cause you must perform the basic function and fill the spec.and then try to  reduce area in case not severely affact function and performence.

whb610

回复 38# semico_ljj


   关于你说的试错确实是这样的，目前我只能做到电路设计伊始认为某种电路可以达到要求，在这种结构证实在电路实现上不可行之后，根据问题考虑另外电路结构，一个痛苦但无奈的选择
   呵呵，说正事儿
   从目前看来这种结构要达到电路要求的所有指标比较困难，我们只能选择LDO（PMOS驱动）+外接滤波电容+bandgap的方式或者NMOS（G端接简单滤波电路）驱动+内置滤波电容+bandgap，前一种方式应该说肯定可以实现，缺点就是电路复杂（稳定性和启动电路难搞点），需要外接电容并且功耗基本肯定要超过预定值（LDO+bandgap+buffer+分压+输出驱动buffer）；后一种方式是我比较期望实现的，最大的好处就是电路依然简单，但是由于需要NMOS驱动，NMOS由于体效应的原因电压降会很大，预计在2.7v供电前提下bandgap可能只有1.5v最小供电电压，这个电压下前提下bandgap只能说勉强可做，问题是直流的PSR怎么办呢，bandgap的输出驱动只能用单级，不可能采用折叠式的了，并且后一种也可能会超过预定功耗并且对稳定性调试心里没底，毕竟NMOS驱动的话电源内阻就会变得很大，幅频特性曲线可能会变得很怪异


  还有什么办法吗，并请指点我到底该采用哪种方式才更靠谱点

  对您的热心肠我只能说由衷的感谢

whb610

回复 39# jiang_shuguo


   很不好意思的告诉您我没见过你说的kuijk cell，能提供资料吗，就算不能用也能学习一下啊   再次不好意思的告诉您，我们没有trimming手段，这个bandgap是给flash用的，trimming数据只能储存在flash中（加OTP或者激光修复我都不敢想，一巴掌就给扇回来），这就成了鸡生蛋蛋生鸡的问题了

jiang_shuguo

if trimming not available ，u must use kuijk cell（op+pnp）

whb610

if trimming not available ，u must use kuijk cell（op+pnp）
jiang_shuguo 发表于 2013-11-21 17:21

                               
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    请问为什么没有修复手段必须用op+pnp的方式，基本结构的偏差会比较大吗，为什么

    另外请问所有的op+pnp结构的bandgap都叫kuijk cell吗，我所采用的这种基本cell叫什么，谢谢

whb610

if trimming not available ，u must use kuijk cell（op+pnp）
jiang_shuguo 发表于 2013-11-21 17:21

                               
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   请问为什么没修复的话必须op+pnp的结构，我现在用的结构实际偏差会比较大吗，为什么会偏差比较大
   请问是所有的op+pnp结构的bandgap都叫kuijk cell吗，谢谢

jiang_shuguo

it just a name, your structure is banba cell. cause banba cell have no loop gain to supress offset。

hszgl

回复 46# whb610


    我同意jiang_shuguo 说的。你现在的这种结构PSRR太弱，在kickback noise严重的情况下确实不耐操，用op+pnp结构会好的多。整个bandgap可能也就5uA就够了，当然代价是损失不少面积。

semico_ljj

回复 35# whb610

这种结构可能是由于是自偏置，结构相对简单，Gain不是很大 所以PSRR一般也不高
版主说的OP+pnp的结构可以试一下 估计整体10uA能做下来 也不是很费面积

semico_ljj

回复 35# whb610

还有 pic太大 2.7M，转换成jpg，gif一般100k~200K足够了