TSMC 0.18 um 的vdd电压可以到多少?

lonemy · 发表于 2008-4-7 16:51:10

可以仿真一下，我仿过，大概能上到4V左右，不过为了安全起见，最好不要超过3.3V。

tigermouth · 发表于 2008-4-9 23:24:27

不知道1.8V管子在2.5V下可以持续多少时间？

opamp1201 · 发表于 2008-11-20 14:07:13

謝牛人~~謝牛人~~

lxcmanager · 发表于 2008-12-2 10:46:13

我们做过低电压工作的情况，1.8V在1V以下，都可以工作，不过要看应用的环境

wyjie · 发表于 2008-12-3 16:55:54

仿真可以，但是实际不行，只能1.8+/-10%

xjtuwxf · 发表于 2009-6-28 15:13:43

根据你选的工艺不同，最高的可以做到40v没问题。 cdmos的 mos也有5v的option的。

analog123 · 发表于 2009-6-28 16:15:05

假如只是作为电容用，用3.3V就是了。

lcl5945 · 发表于 2009-6-28 21:55:29

1.8V管子可以工作在2.5V（击穿电压一般在3.6~3.8V），但是寿命会严重减少，不适合量产

Yuyi · 发表于 2009-6-30 10:21:39

謝謝分享

pipida · 发表于 2009-7-10 04:46:00

Some one has pointed it out. It really depends on the thickness of the oxide in use. Generally, Electric field breakdown strength ranges somewhere from E(bd)~8-11 MV/cm. A practical formula is the breakdown voltage is approximated as the thickness of the oxide in A (10^-10) dividing by 10. Say, the breakdown voltage for a technology having an oxide of 100A is approximately 8-10V.

TSMC 0.18 um 的vdd电压可以到多少?

謝牛人~~

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