TSMC 0.18 um 的vdd电压可以到多少?

wangdh · 发表于 2008-2-26 16:03:38

IO可以3.3
内核一般1.8，不过超过一些问题不大

mayunqi · 发表于 2008-2-26 22:07:37

选3.3为好！！！！

mayunqi · 发表于 2008-2-26 22:15:06

主要是看用在哪些地方了，要先明白设计要求的！

mayunqi · 发表于 2008-2-26 22:20:19

交流才有进步！！！大家一起进步哈！

jsc · 发表于 2008-2-27 00:17:43

應該是看所使用的氧化層厚度

有分為1.8V,2.5V和3.3V元件

一般建議為操作電壓的10%

才能達到lift time10年以上的唷

mao_junhua1 · 发表于 2008-2-28 13:05:03

2.4v以下可以放心，以上也可以冒冒险。

sfei.pku · 发表于 2008-2-28 13:26:28

3.3V左右就出现软击穿了（薄栅氧）

huixuemei · 发表于 2008-3-4 16:33:22

我个人觉得还要注意漏衬电压，你的衬底是不是和源漏接在一起。

zhengwei_jimmy · 发表于 2008-4-3 19:17:54

经过计算，18的管子漏源电压大于4伏时击穿。

changleo · 发表于 2008-4-6 15:48:50

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