TSMC 0.18 um 的vdd电压可以到多少?

Chi_Ho_Wong · 发表于 2009-7-31 16:18:42

I think that 3V is safer for you...

guomin1437 · 发表于 2009-8-1 02:53:13

问下，什么是独立热阱？

guomin1437 · 发表于 2009-8-1 02:56:29

高于2V不行，但是低于1.8V可以吗？
小弟在1V下用此工艺仿了许多电路，都是错的吗？

Areky · 发表于 2009-8-8 00:27:04

2.5v吧.应该没问题。..

gintian · 发表于 2009-8-15 02:03:59

电路深度可以做到么，有点危险

semico_ljj · 发表于 2009-8-17 12:52:19

原帖由 guomin1437 于 2009-8-1 02:56 发表

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高于2V不行，但是低于1.8V可以吗？
小弟在1V下用此工艺仿了许多电路，都是错的吗？

1V仿没有问题?
好像1.8的至少1.2~1.3才能正常工作吧

KK_TD · 发表于 2009-9-4 21:46:43

基本上可以保证做到大于4V的，1.8V的gate oxide 如果是Generic process, gate oxide应该是30-32A，在做qual Gate oxide是要到4V的，3.3V的GOX BV要求要到8V以上的。可是如果加到4V的电容并不会增大，应该说在0.4V左右基本就是强反型了，电容基本不会改变的了。

ylduan_syn · 发表于 2011-3-30 19:57:25

我所用的电压时1V

ylduan_syn · 发表于 2011-4-12 10:51:50

达到 3.3V

RIA007 · 发表于 2011-6-18 04:16:01

thanks

TSMC 0.18 um 的vdd电压可以到多少?

Try 3V for safer approach

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