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楼主: dan13

TSMC 0.18 um 的vdd电压可以到多少?

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发表于 2009-7-31 16:18:42 | 显示全部楼层

Try 3V for safer approach

I think that 3V is safer for you...
发表于 2009-8-1 02:53:13 | 显示全部楼层
问下,什么是独立热阱?
发表于 2009-8-1 02:56:29 | 显示全部楼层
高于2V不行,但是低于1.8V可以吗?
小弟在1V下用此工艺仿了许多电路,都是错的吗?
发表于 2009-8-8 00:27:04 | 显示全部楼层
2.5v吧.应该没问题。..
发表于 2009-8-15 02:03:59 | 显示全部楼层
电路深度可以做到么,有点危险
发表于 2009-8-17 12:52:19 | 显示全部楼层


1V仿没有问题?
好像1.8的至少1.2~1.3才能正常工作吧
发表于 2009-9-4 21:46:43 | 显示全部楼层
基本上可以保证做到大于4V的,1.8V的gate oxide 如果是Generic process, gate oxide应该是30-32A,在做qual Gate oxide是要到4V的,3.3V的GOX BV要求要到8V以上的。 可是如果加到4V的电容并不会增大,应该说在0.4V左右基本就是强反型了,电容基本不会改变的了。
发表于 2011-3-30 19:57:25 | 显示全部楼层
我所用的电压时1V
发表于 2011-4-12 10:51:50 | 显示全部楼层
达到 3.3V
发表于 2011-6-18 04:16:01 | 显示全部楼层
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