TSMC 0.18 um 的vdd电压可以到多少?

yatn

电压大了一点没关系，也可以工作的，不过就是不太安全，寿命会变短

basildy

luoguo

sicool

给的model只有两种电压的啊
1.8 3.3 只能用这两种的吧 没有2.5的说法的啊
0.13um 才有2.5的

zxc2010

it is dependent on the thickness of gate oxide,
thumb of rule: 0.8V/nm     for gate oxide
normally use 1.8V device can be overdrived to 1.8*1.3=2.34 with safe, but less life < 3yrs.. perhaps,
but overdrived to 2.5V is dangerous

ajianer2002

原帖由 zxc2010 于 2007-12-7 16:33 发表

                               
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it is dependent on the thickness of gate oxide,
thumb of rule: 0.8V/nm     for gate oxide
normally use 1.8V device can be overdrived to 1.8*1.3=2.34 with safe, but less life < 3yrs.. perhaps,
but o ...

如果我在0.18um 1.8V的NMOS的gate和drain上加的电压是一个正弦电压,幅度在+3V 和-3V之间,频率上GHz, 这种情况会影响寿命么?或者还有别的影响么?
谢谢

kckc99

2.5v只是测试没问题, 但会有可靠性问题, 一般长时间应用不要超过10%, 极限不要超过20%.

kckc99

原帖由 ajianer2002 于 2007-12-9 12:16 发表

                               
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如果我在0.18um 1.8V的NMOS的gate和drain上加的电压是一个正弦电压,幅度在+3V 和-3V之间,频率上GHz, 这种情况会影响寿命么?或者还有别的影响么?
谢谢

不行,
1. 电容值在电压变化时会变
2. 寿命有限.

kckc99

原帖由 dan13 于 2007-2-23 10:29 发表

                               
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TSMC 0.18u 里边有MOS-Cap，电路里用来作为storage cap，就相当于用这个大电容提
供给其他电路做supply。问题是这个电容上的电压可能超过1.8V，会不会损坏MOSFET？
如果用0.18u 里另外的3.3V的MOS做电容，电压不是 ...

If you want to use the MOS-cap as the storage cap and the voltage will be much more than 1.8v. Suggest you use 3.3v MOS as the cap. Sure, teh 3.3v MOS cap will be smaller than 1.8v cap.

stocol

原帖由 yatn 于 2007-10-28 22:19 发表

                               
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电压大了一点没关系，也可以工作的，不过就是不太安全，寿命会变短

模型文件里面有abs（Vgs）<1.8
超压的确可以工作，寿命短，端到多少，没有侧过

godcadence

器件寿命会有问题，量产一定会出问题。
两种方法：1，建议用厚氧3.3V管子。
          2，如果非要用1.8V管子，考虑用独立热阱pmos管串联实现。

[ 本帖最后由 godcadence 于 2008-1-23 16:42 编辑 ]