多晶硅层与有源区位置探讨

elovu5256 · 发表于 2012-8-30 11:09:31

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

本帖最后由 elovu5256 于 2012-8-30 11:12 编辑

在需要的情况下，多晶硅层可以跨越源区或漏区吗
可以的话，是直接接触呢还是中间隔栅氧层还是隔其它钝化层

因为在普通自对准工艺中，是在多晶硅层生长完之后，进行的源漏掺杂，因此感觉一旦多晶硅层和源或漏交叠，交叠部分其实是没有形成源或漏的一部分。
我这样说对吗

allen_tang · 发表于 2012-8-30 12:06:40

poly隔开两段diffusion区域是source & drain，
第一，不存在多晶硅跨越源漏，有多晶硅切开diffusion就有新的mos产生.
第二，理想情况下，源漏本来就和多晶硅没有交叠，layout上源漏是用一块diffusion连在一起只是为了画图的方便。

elovu5256 · 发表于 2012-8-30 14:54:36

回复 2# allen_tang

其实这是一个环栅管子，中间部分是漏区，红色区域是多晶硅栅，再外面一圈是源区，把多晶硅栅引出是要跨越源区的。
实际上源区确实也是画的一个连续环形，而且DRC LVS也都过了。就是不知道实际工艺可不可以这个样子

allen_tang · 发表于 2012-8-30 18:47:52

回复 3# elovu5256

看明白结构了，这个要如何计算channel width和mos width？ spice module都不好给出来，太不确定了。
而且难度也太大了点，diffusion上面长场氧，专门给poly跑线。。。
为什么不用mt1或者mt2或者mt3接出去呢?

elovu5256 · 发表于 2012-8-30 18:59:26

回复 4# allen_tang

先不管spice模型
也就是说那个源区实际做出来是不连续的中间是断开的
mt1 mt2 mt3是什么意思啊

allen_tang · 发表于 2012-8-30 21:50:17

本帖最后由 allen_tang 于 2012-9-2 02:43 编辑

回复 5# elovu5256

不能用metal接出来？老实说，这样结构的MOS我们都不用，没有spice model的东西，不确定性太大了.

elovu5256 · 发表于 2012-8-31 08:55:17

回复 6# allen_tang

沟道上方的多晶硅栅可以直接打接触孔吗

dqyang · 发表于 2012-8-31 09:25:12

最好别打，沟道上是薄栅氧，打孔可能会打穿的

allen_tang · 发表于 2012-8-31 12:08:40

回复 7# elovu5256

一般不会打，gate-oxide很薄，很容易挂掉，看来只有用poly走线接出来了。另外，这种环栅晶体管的作用是什么？有什么特点？

elovu5256 · 发表于 2012-8-31 15:10:44

回复 9# allen_tang

源区在外围是连续的，这样的话把多晶硅引出来肯定要跨过源区，这个样子可以吗或者会造成源区的不连续吗

管子的特点是漏区不与场氧接触可以消除寄生管效应。

[求助] 多晶硅层与有源区位置探讨