多晶硅层与有源区位置探讨

HeNavy · 发表于 2012-8-31 16:54:17

多晶硅引出来要跨过源区，也相当于生成了一个mos电容。

elovu5256 · 发表于 2012-9-1 10:14:08

回复 11# HeNavy

我查过了，自对准工艺这个是不可能实现的，因为有源区掺杂是在多晶硅生长完之后进行的

allen_tang · 发表于 2012-9-2 12:29:03

回复 10# elovu5256

刚查看了资料，这种MOS应用在高压制程的吧，那就可以直接在gate上打contact用metal接出去.

elovu5256 · 发表于 2012-9-3 09:00:06

回复 14# allen_tang

对高压制程不了解，能解释一下吗

这个管子就是在普通工艺下制造的，不涉及特殊工艺。

dqyang · 发表于 2012-9-3 09:59:31

回复 14# allen_tang

高压管打contac的poly下是厚氧，栅氧上还是不能打的

jiesime · 发表于 2012-9-3 14:43:16

还是要明白基本原理才行！

randysong · 发表于 2012-9-3 15:14:36

楼主画的这种结构在一些大功率的MOS功率管中会有出现，很多个这种结构组合在一起形成一个大的功率管。以前我有见过这种结构，工艺一般不会提供这种结构的spice模型，使用的时候需要自己根据计算来确定G、D、S的大小

allen_tang · 发表于 2012-9-3 17:00:09

本帖最后由 allen_tang 于 2012-9-3 17:05 编辑

回复 16# dqyang

呵呵，这个要看工艺了吧，mixed-signal制程一般都会支持高压工艺的.

allen_tang · 发表于 2012-9-3 17:04:59

回复 15# elovu5256

一般的mixed-signal的CMOS制程都支持高压制程的，你去看看制程cross-section有没有高压管的，有就可以了。

dqyang · 发表于 2012-9-4 09:28:41

回复 18# allen_tang
呵呵，那也是，不同工艺要求不同，不过在薄栅氧上打contact还是不怎么好吧

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